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CDR04BP332BKZMAT 发布时间 时间:2025/7/4 19:04:27 查看 阅读:12

CDR04BP332BKZMAT 是一款由罗姆(ROHM)生产的功率 MOSFET 芯片,基于 N 沟道增强型技术设计。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。其采用小型化封装,适合空间受限的应用环境,同时具有优异的热特性和电气稳定性。
  该型号中的具体参数表明其最大导通电阻较低,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  封装:PQFN1610
  耐压:40V
  导通电阻:3.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  连续漏极电流:137A(Tc=25℃时)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  反向恢复时间:无(因无体二极管)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CDR04BP332BKZMAT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(3.2mΩ 典型值),可显著降低传导损耗。
  2. 高电流处理能力(137A),适应大功率应用需求。
  3. 小型 PQFN1610 封装,有助于节省 PCB 空间。
  4. 支持高频开关操作,栅极电荷小,开关速度快。
  5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),适应恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  7. 内置优化的 ESD 保护功能,提升整体稳定性。

应用

CDR04BP332BKZMAT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC 转换器,尤其是高效率降压或升压转换。
  3. 电机驱动控制,如电动车窗、风扇等。
  4. 大电流负载切换与保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 新能源相关产品,例如太阳能逆变器和储能系统。
  由于其低导通电阻和高电流承载能力,该芯片非常适合对效率要求较高的场景。

替代型号

CDR04BP332BKZMTR, CDR04BP332BKZMA

CDR04BP332BKZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR04
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.180" 长 x 0.126" 宽(4.57mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.080"(2.03mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-