时间：2025/7/4 19:04:27
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CDR04BP332BKZMAT 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，基于 N 沟道增强型技术设计。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。其采用小型化封装，适合空间受限的应用环境，同时具有优异的热特性和电气稳定性。
该型号中的具体参数表明其最大导通电阻较低，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型 MOSFET
封装：PQFN1610
耐压：40V
导通电阻：3.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
连续漏极电流：137A（Tc=25℃时）
栅极电荷：27nC（典型值）
反向恢复时间：无（因无体二极管）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CDR04BP332BKZMAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3.2mΩ 典型值），可显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力（137A），适应大功率应用需求。
3. 小型 PQFN1610 封装，有助于节省 PCB 空间。
4. 支持高频开关操作，栅极电荷小，开关速度快。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
7. 内置优化的 ESD 保护功能，提升整体稳定性。
CDR04BP332BKZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器，尤其是高效率降压或升压转换。
3. 电机驱动控制，如电动车窗、风扇等。
4. 大电流负载切换与保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 新能源相关产品，例如太阳能逆变器和储能系统。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该芯片非常适合对效率要求较高的场景。
CDR04BP332BKZMTR, CDR04BP332BKZMA
