CDR04BP332BKZMAT 是一款由罗姆(ROHM)生产的功率 MOSFET 芯片,基于 N 沟道增强型技术设计。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。其采用小型化封装,适合空间受限的应用环境,同时具有优异的热特性和电气稳定性。
该型号中的具体参数表明其最大导通电阻较低,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
类型:N沟道增强型 MOSFET
封装:PQFN1610
耐压:40V
导通电阻:3.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
连续漏极电流:137A(Tc=25℃时)
栅极电荷:27nC(典型值)
反向恢复时间:无(因无体二极管)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CDR04BP332BKZMAT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.2mΩ 典型值),可显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力(137A),适应大功率应用需求。
3. 小型 PQFN1610 封装,有助于节省 PCB 空间。
4. 支持高频开关操作,栅极电荷小,开关速度快。
5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
7. 内置优化的 ESD 保护功能,提升整体稳定性。
CDR04BP332BKZMAT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器,尤其是高效率降压或升压转换。
3. 电机驱动控制,如电动车窗、风扇等。
4. 大电流负载切换与保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 新能源相关产品,例如太阳能逆变器和储能系统。
由于其低导通电阻和高电流承载能力,该芯片非常适合对效率要求较高的场景。
CDR04BP332BKZMTR, CDR04BP332BKZMA