时间：2025/4/27 12:51:40
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UWTH1D12QB-50WR3S 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用而设计。该器件采用 DFN 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并减少热损耗。它适用于 DC-DC 转换器、无线充电、电机驱动和电信电源等多种应用场景。
由于其出色的性能表现，这款晶体管适合要求高效率、高频率操作以及紧凑型设计的应用环境。
型号：UWTH1D12QB-50WR3S
封装形式：DFN
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
开关频率范围：高达 5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
UWTH1D12QB-50WR3S 的主要特性包括：
1. 基于先进的氮化镓技术，提供卓越的高频性能和低开关损耗。
2. 极低的导通电阻确保在高负载条件下也能维持较高的效率。
3. 高击穿电压（650V）使其适合高压场景，例如电动车充电器和工业设备。
4. 快速开关速度减少死区时间，从而降低电磁干扰(EMI)。
5. 紧凑的 DFN 封装设计有助于简化 PCB 布局，并节省空间。
6. 广泛的工作温度范围适应恶劣环境下的稳定运行需求。
该晶体管适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 高效逆变器及电机驱动控制。
3. 快速充电适配器与无线充电设备。
4. 工业自动化系统中的电源管理模块。
5. 数据中心服务器供电单元(Power Supply Unit, PSU)。
6. 新能源汽车充电桩的核心功率转换电路。
7. 智能家居产品中需要高效功率处理的部分。
UWTH1D10QH-50WR3S, UWTH1D15QA-50WR3S
