时间：2025/6/19 0:53:40
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CDR01BX121BJZPAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压MOSFET晶体管。该器件采用TO-263封装形式，适用于多种高电压、高效率的功率转换应用。其设计旨在提供卓越的开关性能和较低的导通电阻，以满足现代电源管理系统的严格要求。
这款MOSFET在消费电子、工业控制以及通信设备等领域中得到了广泛应用。它支持快速开关操作，并具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：700V
最大连续漏极电流：1.9A
导通电阻：4.8Ω
栅极电荷：15nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃至+150℃
CDR01BX121BJZPAT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合需要高电压工作的场合。
2. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够实现高频运行，从而减小外部元件体积。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。
5. 小型化的TO-263封装设计，便于PCB布局与安装。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器和充电器。
2. LED驱动电路，用于照明系统。
3. 电机驱动控制，特别是小型直流电机。
4. 工业自动化设备中的功率级控制。
5. 电池保护电路和负载切换功能。
6. 各类家电产品中的电源管理和逆变器设计。
CDR01BX121BJZPAJ, FDN340P, BSS138
