时间：2025/5/30 18:38:28
阅读：7
CDR01BP150BKZMAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件是一种 N 沟道增强型场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和 DC-DC 转换器等场景。其高效率和低导通电阻特性使其非常适合需要高效能和小体积的应用。
型号：CDR01BP150BKZMAT
类型：N沟道功率 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(V_DS)：150V
最大栅极源极电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：4.7A
脉冲漏极电流(I_D_Pulse)：9.8A
导通电阻(R_DS(on))：3.5Ω（典型值，在 V_GS=10V 时）
总功耗(P_TOT)：125W
工作温度范围(T_J)：-55℃ 至 +150℃
CDR01BP150BKZMAT 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：额定漏源电压为 150V，适合中高压应用。
2. 低导通电阻：在 V_GS=10V 的条件下，导通电阻仅为 3.5Ω，从而减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度：由于其优化的栅极电荷设计，使得开关损耗较低，适合高频应用。
4. 热稳定性强：具备较高的结温范围（-55℃ 至 +150℃），能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 小型化封装：TO-263 封装形式提供了良好的散热性能和紧凑的设计，有助于减小整体电路尺寸。
6. ESD 保护：内置静电放电保护功能，提高了器件的可靠性。
CDR01BP150BKZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为开关元件。
3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的负载开关。
5. 工业自动化：用作各类工业设备中的功率开关元件。
6. 消配器、LED 驱动器等。
CDR01BP150BKZMAJ, FDP150N15AP, IRF540N
