时间：2025/6/3 22:34:09
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CDR01BP120BJZRAT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合高效率、高频工作的应用场景。
该功率 MOSFET 的封装形式通常为 TO-263（DPAK），具备良好的散热性能，同时其引脚设计便于表面贴装，适用于自动化生产环境。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（典型值）：27mΩ
栅极电荷：22nC
开关时间：t_on=19ns，t_off=18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
CDR01BP120BJZRAT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 优化的栅极电荷 (Qg)，使得驱动功耗更低。
4. 高雪崩能量承受能力，提升器件在异常情况下的可靠性。
5. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。
该功率 MOSFET 可用于多种电力电子应用场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 工业逆变器和 UPS 系统中的关键功率处理单元。
4. LED 驱动电路中作为高效开关使用。
5. 各种负载切换和保护电路中的核心组件。
由于其出色的电气性能和可靠性，CDR01BP120BJZRAT 成为许多高要求应用的理想选择。
CDR01BP120BZRACT, IRFZ44N, FDP5500
