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CDR01BP120BJZRAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:34:09 查看 阅读:8

CDR01BP120BJZRAT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效率、高频工作的应用场景。
  该功率 MOSFET 的封装形式通常为 TO-263(DPAK),具备良好的散热性能,同时其引脚设计便于表面贴装,适用于自动化生产环境。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻(典型值):27mΩ
  栅极电荷:22nC
  开关时间:t_on=19ns,t_off=18ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

CDR01BP120BJZRAT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用,减少开关损耗。
  3. 优化的栅极电荷 (Qg),使得驱动功耗更低。
  4. 高雪崩能量承受能力,提升器件在异常情况下的可靠性。
  5. 良好的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业需求。

应用

该功率 MOSFET 可用于多种电力电子应用场合,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
  3. 工业逆变器和 UPS 系统中的关键功率处理单元。
  4. LED 驱动电路中作为高效开关使用。
  5. 各种负载切换和保护电路中的核心组件。
  由于其出色的电气性能和可靠性,CDR01BP120BJZRAT 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

CDR01BP120BZRACT, IRFZ44N, FDP5500

CDR01BP120BJZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.080" 长 x 0.050" 宽(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-