型号：CDP55N03
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：55A
　　脉冲漏极电流IDM：220A
　　导通电阻RDS(on)：最大6.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：最大8.5mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压VGS(th)：典型值1.8V，范围1.0V~2.5V
　　输入电容Ciss：约2200pF
　　输出电容Coss：约600pF
　　反向恢复时间trr：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

CDP55N03具备多项优异的电气与热力学特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其低导通电阻RDS(on)显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为6.5mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件下（如VGS=4.5V），其RDS(on)也仅为8.5mΩ，表明其在低电压驱动环境下仍能保持出色的导通性能。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以在有限的供电电压下最大限度地减少能量浪费，延长续航时间。
　　其次，CDP55N03具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达55A，脉冲漏极电流甚至高达220A，使其能够应对大电流冲击负载，例如电机启动、电容充电等瞬态过程。同时，该器件的栅极阈值电压较低，典型值为1.8V，确保了它能够被3.3V或5V逻辑信号直接驱动，无需额外的驱动芯片，从而简化了外围电路设计，并降低了系统复杂度和成本。
　　另外，CDP55N03采用了TO-252封装，该封装不仅体积紧凑，便于PCB布局，而且具备良好的散热能力，可通过焊盘将热量传导至PCB上的大面积铜箔进行有效散热，提升了器件在持续高负载条件下的可靠性。其高达175°C的最大结温也保证了在高温环境中依然可以稳定运行。
　　此外，该MOSFET具有较低的输入电容和输出电容，有助于减小开关过程中的充放电损耗，提高开关频率响应能力，适用于高频PWM控制应用。反向恢复时间短（约25ns），进一步降低了体二极管在续流过程中的开关损耗，提升了整体能效。这些特性共同决定了CDP55N03在电源转换、马达驱动和热插拔保护等领域中的高性能表现。

CDP55N03广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效开关控制和大电流处理能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、同步整流DC-DC转换器、负载开关和热插拔控制器。在这些应用中，CDP55N03作为主开关元件或同步整流管，利用其低导通电阻和高电流容量来提升转换效率并减少发热。例如，在降压型（Buck）转换器中，它可以作为下管进行同步整流，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗。
　　此外，CDP55N03也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，作为充放电MOSFET来实现对电池组的安全隔离与通断控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够适应电动汽车、电动工具和储能系统中的严苛工作环境。
　　在电机驱动领域，CDP55N03可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，实现正反转和调速功能。其快速的开关响应和低延迟特性有助于提高控制精度和动态响应速度。
　　该器件还可用于电源多路复用、OR-ing电路以及UPS不间断电源系统中，作为理想二极管替代方案，防止反向电流流动的同时最小化电压降。在工业自动化设备、网络通信电源模块以及消费类电子产品（如笔记本电脑适配器、移动电源）中也有广泛应用。得益于其兼容逻辑电平驱动的能力，CDP55N03特别适合由MCU或专用PWM控制器直接驱动的嵌入式系统，实现智能化电源管理。

IRF550N, FQP55N03, STP55NF03L, IRL540N