工作频率范围：1.6 GHz - 2.9 GHz
　　输出功率：36 dBm（典型值）
　　增益：约18 dB
　　效率：约40%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 2:1
　　工作电压：+28V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

GT36G-1.6-2.9SCF具有多项优异的电气和热性能，确保其在各种高功率射频环境下的稳定运行。其核心特性之一是宽带工作能力，可在1.6 GHz至2.9 GHz的频率范围内提供一致的性能表现，适用于多频段或多标准通信系统。该器件采用GaAs HEMT工艺，提供高功率密度和良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。
　　此外，GT36G-1.6-2.9SCF在设计上优化了线性度和效率，使其在高数据速率通信系统中能够有效减少信号失真，提高信号质量。其输入和输出驻波比均控制在较低水平（< 2:1），减少了反射损耗，提高了系统的整体稳定性。模块还具有良好的抗负载失配能力，使其在不同负载条件下仍能保持高效运行。
　　该器件的封装设计考虑了高频应用的需求，采用表面贴装封装（SMT），便于PCB集成并减少寄生效应。同时，其工作电压为+28V，适用于常见的射频功率放大器供电系统。工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适用于工业级和军事级应用。

GT36G-1.6-2.9SCF广泛应用于需要高功率、宽带宽和高效率的射频系统中。它常见于无线基站、微波通信系统、雷达设备、测试测量仪器以及军事和航空航天领域的通信系统。其宽带特性使其适用于多种通信标准，如WiMAX、LTE、5G、CDMA等，支持多频段操作。此外，该器件也常用于工业和科研领域的高功率射频源设计中，例如射频加热、等离子体发生器和射频干扰测试设备。

MRF6S27045SNR、CMD3163P4B、AMM-67120-30F