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CDM6116E2 发布时间 时间:2025/12/27 17:28:32 查看 阅读:11

CDM6116E2是一款由Comchip Technology公司生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,能够在极短时间内将瞬态过电压钳位于安全水平,从而有效保护下游电路。CDM6116E2属于单向TVS二极管,意味着其工作特性类似于一个仅在反向击穿区工作的齐纳二极管,适用于直流或单极性信号线路的保护。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有较小的寄生电容,适合高速数据线和便携式电子设备中的应用。由于其紧凑的尺寸和高可靠性,CDM6116E2广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装:SOD-123FL
  击穿电压(Vbr):18.2V 至 20.1V
  反向截止电压(Vrwm):16V
  最大钳位电压(Vc):26.1V @ Ipp = 1A
  峰值脉冲电流(Ipp):17.6A
  峰值脉冲功率(Ppk):400W(8/20μs波形)
  漏电流(Ir):≤1μA @ Vrwm
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

特性

CDM6116E2具备优异的瞬态过压保护性能,其核心特性之一是能够在极短的时间内响应电压突变,响应时间通常低于1皮秒,这使得它能够有效抑制ESD等快速瞬态事件。该TVS二极管在正常工作条件下呈现高阻抗状态,漏电流极低(不超过1μA),因此不会对被保护电路的正常运行造成影响。当线路中出现超过其反向截止电压(16V)的瞬态过压时,器件迅速进入雪崩击穿状态,将电压钳位在26.1V以下,从而限制流入后级电路的能量。其400W的峰值脉冲功率处理能力使其能够承受IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)等严苛的ESD测试标准。
  该器件采用SOD-123FL封装,具有较小的物理尺寸(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外,该封装具有良好的散热性能和机械稳定性,有助于提高器件在高应力条件下的长期可靠性。CDM6116E2的低动态电阻特性确保了在大电流冲击下仍能维持较低的钳位电压,减少对敏感IC的电压应力。其单向结构设计使其特别适用于直流电源线或单极性信号路径的保护,避免在正向导通时干扰电路工作。由于材料和工艺的优化,该TVS二极管在多次浪涌冲击后仍能保持稳定的电气特性,展现出出色的耐久性和可靠性。

应用

CDM6116E2广泛用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中。典型应用场景包括直流电源输入端口的过压保护,例如在机顶盒、路由器、安防摄像头等设备的12V或15V供电线路中,防止因电源异常或雷击感应引起的损坏。在工业控制领域,可用于PLC模块、传感器接口和通信总线(如RS-485)的保护,提升系统在恶劣电磁环境下的稳定性。在消费类电子产品中,常用于USB端口、音频接口、LCD偏置电源等位置,抵御用户操作过程中可能引入的静电放电。此外,该器件也适用于汽车电子中的辅助电源系统,保护车载信息娱乐设备或ECU外围电路免受负载突降(Load Dump)或开关噪声的影响。由于其响应速度快、体积小、可靠性高,CDM6116E2是现代电子设计中实现IEC合规性保护的理想选择之一。

替代型号

SMCJ16A

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