CDLL5519 是一款由 Central Semiconductor 制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型。这种晶体管通常用于高频放大器和开关应用中。其封装类型为 SOT-23,适合在紧凑型电路设计中使用。CDLL5519 以其高频性能和低噪声特性著称,因此广泛应用于射频(RF)放大器、无线通信设备以及其他需要高频率响应的电子系统中。
类型:NPN 晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大发射极-基极电压(Veb):5 V
最大功耗(Pd):300 mW
最大工作温度:150°C
封装类型:SOT-23
过渡频率(fT):250 MHz
电流增益(hFE):110-800(根据工作条件变化)
CDLL5519 是一款适用于高频应用的 NPN 晶体管,其过渡频率(fT)可达 250 MHz,使其在射频放大器和高速开关电路中表现出色。该晶体管的低噪声特性使其成为前置放大器和其他对噪声敏感的应用中的理想选择。
这款晶体管具有良好的线性度,能够在较宽的频率范围内保持稳定的增益,适用于模拟和数字信号处理。此外,CDLL5519 的 SOT-23 封装使其在 PCB 设计中占用空间较小,同时具备良好的热性能,能够有效散热以维持稳定的工作状态。
晶体管的 hFE(电流增益)范围较宽,从 110 到 800,具体数值取决于集电极电流的大小。这种特性使其适用于多种不同的电路设计,包括低噪声放大器、射频振荡器、混频器以及高速开关电路。
此外,CDLL5519 具有较低的饱和压降(Vce(sat)),在开关应用中可以减少功耗并提高效率。其额定电压为 30V(Vce 和 Vcb),使其能够在相对较高的电压环境下工作,适用于多种电源设计。
CDLL5519 常用于射频放大器、无线通信设备、前置放大器、射频振荡器、混频器、高速开关电路以及低噪声放大器等应用中。由于其高频性能和低噪声特性,CDLL5519 特别适合用于需要高增益和高稳定性的射频电路中。在无线通信系统中,它可用于信号放大和调制解调电路。此外,该晶体管也可用于音频放大器中的高频补偿电路,以提高音频信号的清晰度和保真度。
在工业和消费类电子产品中,CDLL5519 可用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载,适用于需要高速开关的应用场景。其低饱和压降和高频率响应使其在电源管理和 DC-DC 转换器中也有一定的应用。
2N3904, BC547, PN2222