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CDBQR43-HF 发布时间 时间:2025/7/3 12:37:04 查看 阅读:2

CDBQR43-HF是一款高性能的贴片式功率MOSFET芯片,采用TO-252表面贴装封装。该芯片主要设计用于高效率开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等应用场合。其优化的沟槽结构和低导通电阻特性使其能够在高频开关条件下保持较低的功耗,同时具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:45V
  最大连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:25nC
  总电容(输入电容):1200pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252

特性

CDBQR43-HF的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境,支持高达1MHz的开关频率。
  3. 优秀的热稳定性,可有效减少因温度变化导致的性能波动。
  4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力,提升产品可靠性。
  5. 小型化封装设计,便于PCB板布局和安装,适用于紧凑型设计需求。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际环保法规要求。

应用

CDBQR43-HF广泛应用于各类电子设备中,具体应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业控制领域的脉宽调制(PWM)控制器。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和电池管理模块。
  6. LED驱动器中的功率调节组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP17NF06L
  FDP17N10
  AO3400A

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CDBQR43-HF参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 200mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)5ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 25V
  • 电容@ Vr, F10pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 供应商设备封装402
  • 包装带卷 (TR)