时间：2025/6/23 21:22:47
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CDBQR42-HF是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于各种电源管理场景中，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其设计旨在提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
型号：CDBQR42-HF
封装形式：TO-220
VDS（漏源极电压）：450V
RDS(on)（导通电阻）：0.18Ω
ID（持续漏极电流）：16A
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：45ns
CDBQR42-HF具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，使其在高频应用中表现出色。
3. 高额定漏源极电压（VDS），确保了其在高压环境下的稳定运行。
4. 具备优秀的热特性和大电流承载能力，适用于高功率密度的设计。
5. 支持宽泛的工作温度范围，满足工业及汽车级应用需求。
6. 内置ESD保护电路，提高了器件的可靠性。
CDBQR42-HF适合用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和逆变器设计。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换系统。
IRF840, BUZ11, K1108
