产品类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：15A
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：60A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：550mV @ 7.5A, 150°C（每芯片）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 40V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：PowerDFN2530-8L (SMP8)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8
　　通道数：2
　　热阻（RθJA）：约30°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W（典型值）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C回流焊）

CDBM140LR-G的核心优势在于其低正向导通压降与高效的热管理能力。该器件采用先进的平面工艺与双芯片并联结构，在保证高电流承载能力的同时显著降低了导通损耗。每个肖特基芯片在7.5A电流下仅产生约550mV的正向压降，这使得在大电流工况下的功耗远低于传统快恢复或标准二极管，从而减少了对额外散热措施的需求。
　　该器件的快速开关特性意味着它在高频整流应用中几乎不产生反向恢复电荷（Qrr），避免了由此引发的开关尖峰和电磁干扰问题，提高了电源系统的稳定性与EMI兼容性。其双共阴极配置特别适用于同步整流拓扑中的输出整流环节，如Buck、Boost及LLC谐振转换器，可简化电路布局并提升功率密度。
　　PowerDFN2530-8L封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.5mm x 3.0mm x 0.9mm），还集成了大面积裸露焊盘以增强散热性能。通过将底部焊盘良好接地并连接至PCB上的热过孔阵列，可以实现高效热传导，使器件在持续高负载条件下依然保持较低的结温上升。此外，该封装具有优异的机械强度和抗热循环疲劳能力，适合在严苛环境（如车载电子或工业控制）中长期运行。
　　CDBM140LR-G符合RoHS指令且不含卤素，支持无铅回流焊接工艺，并通过AEC-Q101部分认证的可能性较高（需查阅官方文档确认），使其适用于汽车电子等高可靠性领域。其高浪涌电流承受能力（60A）也增强了对瞬态过流事件的耐受性，提升了系统鲁棒性。

CDBM140LR-G常用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要紧凑尺寸与高效热管理的场合。典型应用场景包括但不限于：笔记本电脑和平板电脑的电源适配器；服务器和通信设备中的DC-DC降压变换器；LED驱动电源中的续流与防反接保护电路；太阳能微型逆变器中的高频整流单元；以及便携式消费类电子产品中的电池充放电管理模块。
　　在同步整流架构中，该器件可作为次级侧整流元件替代MOSFET体二极管进行预整流，减少启动阶段的能耗损失。同时，由于其快速响应特性，也被广泛应用于防止反向电流倒灌的OR-ing电路或多电源选择电路中，确保系统供电安全。
　　此外，CDBM140LR-G还可用于电机驱动器中的续流二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主开关器件免受电压冲击。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块以及辅助电源系统，满足高温、高振动环境下的可靠运行需求。其小型化封装也有利于实现车载电子模块的小型化与轻量化设计目标。

SDM140LF40-G
　　CDBM140HFR-G
　　MBR1540CT