时间：2025/8/21 16:15:29
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CDB7619 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。这款器件设计用于在高频率下工作，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等场景。CDB7619 采用紧凑型封装，便于在空间受限的应用中使用，并具备良好的热稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：0.016Ω（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：44W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
CDB7619 MOSFET 具备多项优异特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效率，这对于电源转换器和电池管理系统尤为重要。
其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率，尤其是在高频开关应用中表现突出。
此外，CDB7619 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。
该 MOSFET 支持高达 10A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用，并且能够在宽温度范围内稳定工作（-55°C 至 150°C），适应各种恶劣工作环境。
封装方面，CDB7619 通常采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，同时便于 PCB 布局和自动化装配。
CDB7619 广泛应用于多种功率电子系统中，例如 DC-DC 升压和降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统以及电池供电设备中的功率开关控制。
在电源管理模块中，它可用于高效能的电源转换，提高系统能效并延长电池寿命。
此外，该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的功率控制电路中，满足对高可靠性和高性能的需求。
由于其出色的热性能和高电流承载能力，CDB7619 在需要频繁开关操作和高负载能力的应用中表现尤为出色。
Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS6680, NDS351AN
