时间：2025/6/11 13:25:20
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CDB0230QRL是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关和高功率密度应用设计。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
该芯片适用于电信电源、服务器电源、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率转换的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：超过2MHz
结温范围：-40℃至150℃
CDB0230QRL具有以下主要特性：
1. 基于氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高达2MHz以上的开关频率，显著减小了无源元件体积，从而提高功率密度。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，提升了系统可靠性。
4. 高效散热设计，确保在高温环境下稳定运行。
5. 封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景。
CDB0230QRL广泛应用于以下领域：
1. 通信设备中的AC-DC和DC-DC转换器。
2. 数据中心服务器电源模块。
3. 太阳能微型逆变器及储能系统。
4. 电动汽车充电站的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的高频开关电源。
6. 其他需要高性能功率转换的应用场景。
CDB0250QRL
CDB0220QRL
