时间：2025/8/14 7:58:44
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PJE8401_R1_00001 是一款由PanJit（强茂）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供优异的导通性能和较低的开关损耗，同时具备较高的耐压能力和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=10V
导通阈值电压：1.2V ~ 2.5V
封装形式：DFN3x3
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PJE8401_R1_00001 MOSFET器件具备多个优良的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极电压下仅为30mΩ，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用DFN3x3封装，具有良好的热性能和较小的封装尺寸，适用于高密度电路设计。
此外，该MOSFET具备较高的最大漏极电流（8A）和30V的最大漏源电压，能够在中等功率应用中稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽（最高20V），适用于多种驱动电路设计。导通阈值电压在1.2V至2.5V之间，确保在低电压控制系统中仍能可靠导通。
该器件还具备良好的短路耐受能力与过温稳定性，增强了系统在异常工况下的可靠性。结合其高耐压能力和低开关损耗，PJE8401_R1_00001适用于多种电源转换和负载管理场景。
PJE8401_R1_00001 MOSFET主要应用于各类电源管理系统中，例如同步整流DC-DC降压/升压转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及LED驱动电源等。其高效率和小封装特性使其非常适合在笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备、移动电源等便携式电子产品中使用。
在服务器和通信设备的电源模块中，该器件也可作为高效率的功率开关使用，帮助提升整体电源转换效率。此外，在工业控制和汽车电子领域，PJE8401_R1_00001也常用于高可靠性电源设计中。
Si2302DS, AO4406, FDS6680, BSC016N03MSG
