CD85-E2GA102MYVSA是一种高性能的功率MOSFET电子元器件,属于东芝公司生产的DTC系列。该型号主要用于需要高效率、低功耗的应用场景中。其设计采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和快速的开关特性,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业控制领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):175nC
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55℃至+175℃
CD85-E2GA102MYVSA具有出色的电气性能和可靠性,主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
3. 高电流处理能力,能够承受高达90A的持续漏极电流。
4. 耐热性能优越,能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 强大的抗雪崩能力,确保在异常条件下仍能保持安全操作。
6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代绿色设计需求。
这种功率MOSFET适合多种应用场景,主要包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 各种类型的DC-DC转换器,如降压、升压和反激式转换器。
3. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制组件。
CD85-E2GA102MYVSAH, CD85-E2GA102MYVSAL