型号：CD74HCT646E
　　制造商：Texas Instruments
　　逻辑系列：HCT
　　器件类型：八位总线寄存器
　　封装类型：PDIP-16, SOIC-16
　　电源电压（VCC）：4.5V 至 5.5V
　　输入电压兼容性：TTL 兼容（0.8V / 2.0V）
　　输出类型：三态
　　最大时钟频率：>50MHz
　　传播延迟（tpd）：典型值约15ns（@5V）
　　静态电流（ICC）：最大1μA（@25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 125°C
　　引脚数：16
　　逻辑功能：8位D型寄存器带时钟使能和三态输出
　　数据保持时间：最小3ns
　　建立时间（tSU）：典型值5ns

CD74HCT646E的核心特性之一是其高速CMOS工艺与TTL电平兼容性的结合。这使得该器件能够在传统的5V TTL系统中无缝集成，同时享受CMOS技术带来的低静态功耗优势。在待机状态下，其静态电流极低，通常不超过1μA，显著降低了系统的整体能耗，特别适合对功耗敏感的应用场合。此外，其高噪声免疫能力得益于CMOS结构固有的宽电压摆幅和高输入阻抗，能够在电磁干扰较强的工业环境中稳定运行。
　　该芯片具备独立的时钟使能（Clock Enable）控制功能，允许用户在不改变时钟信号的前提下，选择是否将输入数据锁存至输出端。这一机制提供了更高的控制灵活性，可用于实现数据流的门控操作，避免不必要的状态更新，提升系统可靠性。时钟使能在低电平时有效锁存数据，而在高电平时禁止锁存，维持原有输出状态。
　　三态输出结构是另一个关键特性。每个输出端均可通过输出使能（Output Enable）信号切换为高阻态，从而允许多个寄存器共享同一组数据总线。这种总线共享能力极大简化了系统布线，减少了I/O资源占用，广泛应用于多设备共用总线的架构中，如微控制器外围扩展、FPGA接口设计等。
　　CD74HCT646E还具备优异的电气性能，包括快速的传播延迟（典型15ns以内）和较短的建立与保持时间要求，确保在高频时钟下仍能可靠采样数据。其输出驱动能力足以驱动标准TTL负载，无需额外缓冲即可接入现有数字电路。所有输入端均设计有保护电路，防止静电放电（ESD）损坏，提升了器件在实际使用中的鲁棒性。

CD74HCT646E广泛应用于需要高速数据暂存与总线隔离的数字系统中。在微处理器和微控制器系统中，它常被用作地址或数据总线的锁存器，用于分时复用总线结构中分离地址与数据信号。例如，在8051类MCU系统中，当P0口作为地址/数据复用口时，可通过CD74HCT646E在ALE信号控制下锁存低8位地址，释放总线供数据传输使用。
　　在数据采集系统中，该器件可用于缓存来自ADC或多路开关的并行数据，确保在主控制器读取期间数据稳定不变。其三态输出功能允许多个采集通道共享同一数据总线，通过片选或使能信号进行通道切换，提高系统集成度。
　　通信接口设计中，CD74HCT646E可作为并行到并行的数据缓冲器，用于隔离不同模块之间的电气连接，防止相互干扰。在FPGA或CPLD外围电路中，常用于扩展输出端口或实现状态寄存，提升系统设计的灵活性。
　　此外，该芯片也适用于工业控制、测试设备、嵌入式显示驱动等领域，尤其是在需要宽温工作范围和高可靠性的应用场景中表现出色。其军品级温度范围使其可用于航空航天、国防电子等严苛环境下的数字逻辑设计。

SN74HCT646N
　　CD74ACT646E
　　SN74ABT646A