容量：16MB（16兆位）
　　组织方式：1M x16
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：并行（地址/数据总线）
　　擦除周期：10万次
　　编程周期：10万次
　　数据保持时间：10年

M29W160ET90ZA6E 采用高性能的NOR闪存技术，支持快速的读取访问时间（90ns），适用于对速度有较高要求的应用场景。该芯片的电压范围为2.7V至3.6V，具有较宽的工作电压适应能力，适合多种电源条件下的系统设计。
　　该芯片具备良好的耐用性，擦除和编程周期可达10万次，确保了长期使用的可靠性。数据保持时间长达10年，能够在断电情况下稳定存储数据。此外，M29W160ET90ZA6E 提供多种操作模式，包括读取、写入、擦除和批量编程，用户可以根据具体需求灵活控制存储单元的操作。
　　该芯片采用TSOP封装形式，便于集成到嵌入式系统中，并支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境下的应用。其并行接口设计使得与主控器的连接更加简单高效，适合用于需要高速数据访问的场合。

M29W160ET90ZA6E 主要应用于需要非易失性存储和快速读取能力的嵌入式系统中，如工业控制系统、通信设备、网络设备、汽车电子系统、消费电子产品等。它可作为程序存储器或数据存储器使用，适用于固件存储、数据日志记录、配置信息保存等场景。此外，该芯片也广泛用于需要高可靠性和长寿命的工业及汽车应用中。

M29W160EB90ZA6E, M29W160EC90ZA6E, M29W320GL90ZA6E