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CD611616B 发布时间 时间:2025/8/7 12:16:52 查看 阅读:32

CD611616B 是一款由Cypress Semiconductor设计的高速静态随机存取存储器(SRAM),主要用于需要快速数据访问的应用场景。这款芯片具有低功耗和高性能的特点,适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和通信设备中。CD611616B的容量为256K x 16位,采用先进的CMOS工艺制造,确保了其在高速运行时仍能保持较低的功耗。其封装形式通常为TSOP(Thin Small Outline Package),适合现代电子设备对小型化和高密度安装的需求。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:并行
  最大工作频率:166MHz
  功耗(典型值):1.2W
  数据保持电压:2V
  数据保持电流:10mA

特性

CD611616B 的主要特性包括高速访问、低功耗、宽工作温度范围以及高可靠性。该芯片的高速访问时间为5.4ns,支持166MHz的工作频率,能够满足高性能系统的数据存取需求。此外,CD611616B采用CMOS工艺,能够在3.3V电源电压下运行,同时在待机模式下功耗极低,适合用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。CD611616B还具有数据保持功能,在电源电压降至2V以下时,能够保持数据不丢失,适合用于需要长时间保存数据的场合。此外,该芯片提供54引脚TSOP封装,体积小、重量轻,便于在空间受限的设备中安装。CD611616B广泛支持各种SRAM应用,如高速缓存、数据缓冲和存储扩展等,能够为系统提供高效的数据存储解决方案。
  CD611616B的并行接口设计使其能够与多种主控设备兼容,包括微处理器、FPGA和ASIC等,简化了系统设计和集成过程。同时,该芯片的高性能和低功耗特性使其成为工业控制、通信设备和嵌入式系统的理想选择。

应用

CD611616B主要应用于需要高速数据存储和低功耗特性的场合,包括工业控制系统、网络交换设备、通信基站、测试仪器、医疗设备以及嵌入式处理器系统。此外,它也适用于需要数据缓存和临时存储的便携式设备,如手持终端和数据采集装置。

替代型号

CY62167VLL-55B2I-S

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CD611616B参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.43V @ 520A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20mA @ 1600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)160A
  • 电压 - (Vr)(最大)1600V(1.6kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳POW-R-BLOK? 模块
  • 供应商设备封装POW-R-BLOK? 模块
  • 包装散装
  • 其它名称835-1074CD611616B-ND