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CD611616A 发布时间 时间:2025/8/6 22:35:33 查看 阅读:35

CD611616A 是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies)推出的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有16K x 16位的存储容量,适用于需要高速数据存取和稳定存储的应用场景。CD611616A采用CMOS工艺制造,具有宽电压工作范围、低功耗和高速访问时间等特点。

参数

容量:16K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:10ns
  封装类型:48-TSOP, 54-TFBGA
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:TSOP:8mm x 14mm;BGA:6mm x 8mm
  工作电流:典型值为10mA(待机电流 < 10μA)

特性

CD611616A 的主要特性包括低功耗设计、高速存取能力和宽电压工作范围,使其适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高抗干扰能力和稳定性,适合在恶劣环境中使用。
  CD611616A 提供多种封装形式,满足不同设计对空间和性能的需求,包括TSOP和BGA封装。
  其高速访问时间(最快可达10ns)确保了在高频系统中的高效数据传输能力。
  此外,该SRAM芯片具备自动低功耗模式,在不进行读写操作时可显著降低功耗,延长设备的电池寿命。

应用

CD611616A 常用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块和消费类电子产品。
  例如,它可用于网络设备中的数据缓冲、工业自动化控制器中的临时存储器,以及便携式电子设备中的高速缓存存储器。
  此外,CD611616A 也适用于汽车电子系统、测试设备和医疗仪器等需要高可靠性和稳定性的应用。

替代型号

CD611616A 可以被以下型号替代:CY62167VLL-55B3C、IS61WV102416BLL-10BLI、A611616A-10B、EM611616A-10B。

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