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CD214B-T12A 发布时间 时间:2025/12/27 19:59:47 查看 阅读:26

CD214B-T12A是一款由Comchip Technology生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等引起的过电压事件。该器件采用高效散热的SMC(DO-214AB)封装,适用于需要高浪涌承受能力且空间受限的应用场景。CD214B-T12A属于双向TVS二极管,能够在正负两个方向上对过电压进行钳位,因此特别适合用于交流信号线路或双极性电源系统的保护。其设计符合RoHS环保标准,无铅且符合现代绿色电子产品的要求。该器件广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域,提供快速响应和可靠的过压保护功能。由于其低动态电阻和高能量吸收能力,CD214B-T12A在遭遇瞬态高压时能迅速将电压钳制在安全水平,从而有效防止下游电路元件受损。

参数

类型:双向TVS二极管
  封装:SMC(DO-214AB)
  反向工作电压(VRWM):12V
  击穿电压(VBR):最小13.3V,最大14.7V
  测试电流(IT):1mA
  最大钳位电压(VC):19.9V(在IPP=15.1A时)
  峰值脉冲电流(IPP):15.1A
  峰值脉冲功率(PPPM):3000W(8/20μs波形)
  漏电流(IR):小于1μA
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃

特性

CD214B-T12A具备卓越的瞬态电压抑制能力,其核心优势在于高达3000W的峰值脉冲功率处理能力,能够在短时间内吸收大量能量并迅速恢复至正常工作状态。该TVS二极管采用硅PN结雪崩技术,在达到击穿电压后立即进入低阻导通状态,将瞬态过电压限制在安全范围内,避免对后续电路造成损害。其双向结构设计使其能够应对正负极性的瞬态干扰,非常适合用于保护交流线路或存在反向电压波动的系统中。器件的响应时间极短,通常在皮秒级别,远快于传统的过压保护器件如压敏电阻,因此可以在瞬态事件发生的初期就完成电压钳位,最大限度地减少对敏感IC的影响。
  该器件的SMC封装不仅体积紧凑,节省PCB空间,而且具有良好的热传导性能,有助于将瞬态期间产生的热量快速散发,提升长期工作的可靠性。此外,CD214B-T12A的漏电流极低(小于1μA),在正常工作条件下几乎不消耗额外功率,不会影响原电路的工作性能。其稳定的击穿电压范围(13.3V至14.7V)确保了不同批次产品之间的一致性和可预测性,便于批量生产和质量控制。该TVS二极管还具备出色的循环耐久性,能够多次承受额定级别的浪涌冲击而不发生性能退化,延长了设备的整体使用寿命。由于其符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,适用于出口型产品和环保认证项目。

应用

CD214B-T12A常用于各类需要高可靠性过压保护的电子系统中。典型应用场景包括电源输入端口的浪涌防护,特别是在直流供电系统中防止因开关瞬变或雷击耦合引起的电压尖峰。它也广泛应用于通信接口保护,如RS-232、RS-485、CAN总线等数据线路,抵御静电放电(ESD)和电磁干扰(EMI)带来的瞬态威胁。在工业自动化领域,该器件可用于PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路中,提高系统抗干扰能力和运行稳定性。此外,CD214B-T12A适用于消费类电子产品中的USB端口、音频接口和电池充电管理电路,防止用户操作过程中引入的静电损坏内部芯片。在汽车电子系统中,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元的电压保护,满足严苛的环境要求。由于其高功率密度和小型化设计,也非常适合部署在空间受限但需承受高能量冲击的便携式设备中。

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