类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：400mA
　　正向压降（VF）：典型值0.35V（在10mA时），最大值0.5V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在25°C，40V下）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323（SC-76）
　　安装类型：表面贴装（SMT）

CCR4.0MC3TCCM的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通电压与极快的开关响应速度。相较于传统的PN结二极管，肖特基二极管具有更低的能量损耗和更高的转换效率，特别适用于对功耗敏感的电池供电设备。其正向压降在低电流条件下可低至0.35V左右，显著减少了功率损失，提高了系统能效。同时，该器件的反向恢复时间小于5ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中表现出优异的动态性能，有效降低了开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件内部两个肖特基二极管以共阴极结构集成于同一芯片上，便于实现双路信号整流或并联使用以提高电流承载能力。这种设计常用于USB接口的电源极性保护、DC-DC转换器中的续流/箝位电路、以及高频整流桥的一部分。SOD-323封装尺寸小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），节省PCB空间，非常适合高密度布局的移动终端产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，器件经过优化设计，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，确保长期运行的可靠性。
　　CCR4.0MC3TCCM还具备较强的抗静电能力，可用于一定程度的ESD防护，配合TVS器件可增强系统的鲁棒性。制造工艺采用先进的平面外延技术，保证了批次间的一致性和良品率。所有材料均符合无铅（Pb-free）和RoHS指令要求，支持绿色环保生产流程。由于其出色的综合性能和小封装优势，该器件已成为许多消费类电子和工业控制电路中的理想选择。

该器件主要应用于需要高效、低功耗和小型化的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子产品的电源管理模块，例如在锂电池充放电路径中作为防反接保护二极管；在DC-DC升压或降压转换器中用作同步整流替代方案或续流二极管，提升整体效率；在USB、HDMI等高速接口电路中提供瞬态电压抑制和极性反转保护。此外，它也常用于信号解调电路、采样保持电路中的快速开关单元，以及高频逆变器和无线充电接收端的整流桥部分。由于其快速响应特性，还可用于脉冲电路和数字逻辑电平转换中的钳位元件。在通信设备、智能家居控制器、物联网节点和传感器模块中，该二极管因其高可靠性和紧凑尺寸而被广泛采用。

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　　 "BAT54C",
　　 "RB751S40",
　　 "SMS7621",
　　 "SD103AW",
　　 "MBRS340T3G"
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