型号：CC3-0512DF-E
　　类型：VCXO（压控晶体振荡器）
　　输出波形：CMOS
　　标称频率：122.880 MHz
　　供电电压：3.3V ±10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　频率稳定性（温度）：±2.0 ppm（典型）
　　老化率（第一年）：±1.0 ppm
　　牵引范围（调谐范围）：±100 ppm（典型）
　　控制电压范围：0 ～ 3.3 VDC
　　上升/下降时间：≤ 5 ns（典型）
　　占空比：45% ～ 55%（@ 1.65V 阈值）
　　相位噪声 @ 1 kHz 偏移：-155 dBc/Hz
　　相位噪声 @ 10 kHz 偏移：-165 dBc/Hz
　　电源电流：≤ 40 mA
　　封装类型：SMD，5.0mm × 3.2mm
　　引脚数：6
　　ESD 耐受能力：≥ 2 kV（HBM）
　　启动时间：≤ 5 ms

CC3-0512DF-E具备卓越的频率稳定性和极低的相位噪声性能，是高性能时钟解决方案中的关键组件。其核心优势在于采用了高Q值的石英晶体单元，结合优化的振荡电路设计，实现了在全工作温度范围内±2.0 ppm以内的频率偏差，确保系统在各种环境条件下都能维持精准的时序控制。该器件的相位噪声表现尤为突出，在122.88 MHz输出频率下，1 kHz频偏处可达-155 dBc/Hz，10 kHz频偏处更优于-165 dBc/Hz，这一指标显著降低了时钟抖动，提升了高速串行通信链路的误码率性能，适用于SONET/SDH、Ethernet、OTN等对时钟纯净度要求严苛的应用场景。
　　作为一款压控晶体振荡器（VCXO），CC3-0512DF-E支持通过外部模拟电压对输出频率进行线性调节，典型牵引范围为±100 ppm，控制电压输入范围为0～3.3 VDC，便于与锁相环（PLL）芯片或时钟恢复电路配合使用，实现动态频率跟踪与同步功能。其CMOS输出驱动能力兼容大多数数字逻辑电路，上升和下降时间均小于5 ns，保证了快速的边沿响应和良好的信号完整性。器件采用陶瓷表面贴装封装，尺寸为5.0mm × 3.2mm，结构坚固，抗震性强，适合工业级和通信级设备长期运行。
　　此外，CC3-0512DF-E具有较低的功耗特性，典型电源电流不超过40 mA，有助于降低系统整体热负荷，提升能效。其老化率在第一年内不超过±1.0 ppm，长期运行稳定性优异，减少了因频率漂移导致的系统校准需求。内置的启动保护机制确保上电后可在5 ms内稳定输出时钟信号，满足快速启动系统的时序要求。整个设计符合RoHS指令，支持回流焊工艺，适用于自动化大规模生产。综合来看，该器件在稳定性、噪声、功耗和可靠性之间实现了良好平衡，是高端时钟架构的理想选择。

CC3-0512DF-E主要用于需要高精度、低抖动时钟源的通信和网络设备中。典型应用包括光纤传输系统、同步光网络（SONET）、同步数字体系（SDH）、千兆及万兆以太网交换机、路由器、基站射频单元（RRU）、无线回传设备、测试与测量仪器（如示波器、信号发生器）、工业自动化控制系统以及精密数据采集系统。由于其122.88 MHz的频率常用于音频和通信领域的采样时钟基准（例如作为DAC/ADC的主时钟或I2S接口的MCLK），该器件也广泛应用于专业音视频设备和数字广播系统中。此外，在需要与IEEE 1588精确时间协议（PTP）协同工作的网络节点中，CC3-0512DF-E可作为本地振荡器提供高稳定度参考，支持时间同步功能。其VCXO特性使其特别适合用于锁相环（PLL）反馈回路中，参与时钟恢复、频率合成和抖动衰减等关键功能模块。在FPGA、ASIC或DSP系统中，该振荡器常被用作主控时钟源，确保系统各模块之间的同步操作。得益于其宽温工作能力和高可靠性，该器件同样适用于户外通信设备、轨道交通控制系统和工业物联网网关等严苛环境下的嵌入式系统。

CVHD-950-122.88
　　XC3-122.88-M-H-33-S-30