容量：1K x 8 位
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C（根据后缀不同）
　　封装类型：28引脚 DIP 或 32引脚 SOIC
　　访问时间：55ns、70ns、100ns（根据型号后缀不同）
　　写入周期时间：1ms
　　数据保持时间：100年
　　非易失性存储技术：基于 SRAM + 电池备份

XT100393-1 是一款高性能的非易失性静态存储器（NVSRAM），其主要特性是结合了传统 SRAM 的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持能力。这种芯片内部集成了一个低功耗 SRAM 阵列和一个锂电池备份系统，确保在电源关闭或系统断电的情况下，数据仍然可以被保留。该芯片在读写操作上与标准 SRAM 完全兼容，无需额外的软件控制或复杂的时序管理，使得其在嵌入式系统和高速数据存储应用中非常方便使用。
　　XT100393-1 支持自动存储器保护功能，在检测到电源电压下降到安全阈值以下时，会自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储区域。在电源恢复后，数据会自动恢复回 SRAM 中。这种自动切换机制无需用户干预，大大提高了系统的可靠性和数据完整性。
　　此外，XT100393-1 还具备极高的耐用性和数据保持能力，其非易失性存储单元可支持超过百万次的写入/读取周期，且数据可保持长达100年。其封装形式包括28引脚 DIP 和32引脚 SOIC，适用于不同的 PCB 设计需求。

XT100393-1 主要应用于对数据存储可靠性要求极高的系统中，例如工业控制系统、数据采集设备、智能电表、医疗设备、通信基站、路由器、不间断电源（UPS）系统以及嵌入式控制器等。在这些应用中，XT100393-1 可用于存储关键配置信息、系统状态数据、运行日志等重要数据，以确保即使在断电或系统重启的情况下，数据也不会丢失。
　　此外，该芯片也常用于需要频繁高速读写操作且不能容忍数据丢失的场合，如金融终端、POS 机、自动化测试设备等。由于其与标准 SRAM 兼容的接口设计，使得它在替换传统 SRAM 时无需更改硬件电路或软件逻辑，极大简化了系统设计和升级过程。

STK14CA8R-SI、DS1245Y-100、FM16W08-DS35