时间：2025/7/10 6:25:57
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CC1812JKNPOEBN180 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率放大器芯片，专为射频和微波通信应用设计。该器件具有出色的线性度和增益性能，适用于无线基础设施、点对点无线电以及军事雷达等场景。
该芯片采用先进的封装技术，能够在高频条件下保持稳定的工作状态，同时降低功耗并提升系统整体性能。
型号：CC1812JKNPOEBN180
工作频率范围：1.8 GHz 至 2.2 GHz
增益：20 dB
输出功率（1 dB 压缩点）：43 dBm
饱和输出功率：46 dBm
效率：50%
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
供电电压：28 V
静态电流：2.5 A
封装形式：QFN-16 (5x5 mm)
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CC1812JKNPOEBN180 的主要特性包括：
1. 高效率设计，支持在高频段实现更长的运行时间，减少热管理需求。
2. 线性度出色，适合多载波和复杂调制信号的应用环境。
3. 内置匹配网络，简化了外部电路设计，降低了开发成本。
4. 宽带宽覆盖，能够满足多种无线通信协议的需求。
5. 具备卓越的可靠性和稳定性，即使在极端环境下也能正常工作。
6. 封装紧凑，便于集成到小型化的设备中。
7. 支持高输出功率，可直接驱动天线而无需额外的功率级放大器。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站中的射频功率放大器模块。
2. 军用雷达系统，如相控阵雷达中的发射单元。
3. 卫星通信地面站设备中的上变频链路。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段相关产品。
5. 点对点微波通信链路的发射端。
6. 测试与测量仪器，例如信号源或功率计。
CC1812JKPHEBZ240
CC1812JLNMOEBN360
