型号：CBY160808A110T
　　制造商：华新科（Walsin）
　　封装尺寸：1608（公制）/0603（EIA）
　　电容值：11pF
　　容差：±0.05pF 或 ±0.1pF（典型）
　　额定电压：50V DC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　介质材料：陶瓷（Class I）
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 R×C ≥ 500 Ω·F
　　最大厚度：0.8mm
　　端接类型：三层电镀（Cu/Ni/Sn）
　　适用焊接方式：回流焊（Reflow Soldering）

CBY160808A110T采用C0G（也称NP0）温度系数的I类陶瓷介质材料，具有极高的电容稳定性，其电容值随温度变化极小，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的可靠运行。这种材料本质上是非铁电性的，避免了因介电常数非线性导致的容量漂移问题，因此特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和谐振电路中。
　　该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），在高频条件下仍能保持接近理想的电容行为，有效减少信号失真和能量损耗。其自谐振频率（SRF）较高，通常可达GHz级别，适合用于GHz频段的射频匹配网络和高频旁路应用。此外，由于C0G介质不随施加电压而发生明显的容量下降（即无直流偏压效应），即使在高压偏置下也能维持标称电容值，这一点显著优于X7R、X5R等II类介质电容器。
　　机械结构方面，CBY160808A110T采用多层叠层工艺制造，内部包含多个交错排列的金属电极与陶瓷介质层，增强了单位体积内的电容密度，同时通过优化内电极布局降低寄生电感。其外部端子经过三层电镀处理（铜-镍-锡），提高了抗湿性和抗氧化能力，增强了长期可靠性，特别是在潮湿高温（如85°C/85%RH）环境下仍能保持良好性能。该器件符合RoHS指令和无卤素要求，适用于绿色环保电子产品生产。

CBY160808A110T广泛应用于对电容稳定性、温度特性和高频响应要求严苛的电子系统中。在射频通信领域，它常用于手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块、GPS接收器和射频识别（RFID）设备中的阻抗匹配网络、LC谐振电路和带通滤波器，确保信号传输的精确性和高效性。由于其C0G特性带来的零温度漂移，可在不同气候条件下保持一致的电路调谐状态，避免因温漂引起的频率偏移。
　　在模拟电路中，该电容可用于高性能运算放大器的反馈补偿、有源滤波器的时间常数设定以及精密振荡器（如晶体振荡器、VCO）的负载电容配置。在这些应用中，微小的电容波动都可能影响系统精度，因此必须使用高稳定性的C0G/NP0类电容。
　　此外，CBY160808A110T还适用于高速数字系统中的局部去耦和噪声抑制，尤其是在时钟线路附近作为高频旁路电容，以滤除高频噪声并维持电源完整性。其小型化封装便于在紧凑PCB布局中使用，常见于智能手机、可穿戴设备、物联网终端和汽车电子控制系统等空间受限但性能要求高的产品中。工业级工作温度范围也使其可用于车载信息娱乐系统、传感器接口电路和工业通信模块。

GRM188C71H110JA01D
　　CC0603JRNPO9BN110
　　CL21A110JBANNNC
　　RC0603JR-0711KL