CBW201209U202T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频开关电源、DC-DC转换器和工业电源等应用设计。该芯片集成了驱动器与保护电路,具有高效率、高功率密度以及快速开关特性,能够显著降低能耗并提高系统性能。
其独特的结构设计和材料选择使其能够在高频工作条件下保持低损耗,同时支持宽电压输入范围,适合多种电力电子应用场景。
型号:CBW201209U202T
封装形式:QFN32
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:120mΩ
最大开关频率:2MHz
栅极电荷:45nC
结温范围:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
热阻:0.8°C/W
CBW201209U202T采用先进的GaN技术制造,具备以下特点:
1. 高效能量转换:由于其低导通电阻和低开关损耗,在高频工作状态下表现出色,能有效减少能量损失。
2. 快速开关能力:支持高达2MHz的工作频率,使得小型化和高功率密度成为可能。
3. 内置保护功能:集成过流保护、过温关断等功能,确保芯片在异常情况下仍能安全运行。
4. 易于使用:兼容传统硅MOSFET驱动器,无需额外的复杂外围电路设计。
5. 宽工作范围:支持从几伏到数百伏的输入电压,适应性强。
CBW201209U202T广泛应用于以下领域:
1. 开关电源适配器:用于笔记本电脑、智能手机和其他消费类电子产品的充电器中。
2. DC-DC转换器:如电动汽车中的电池管理系统或通信设备中的电源模块。
3. 工业电源:适用于工业自动化设备中的紧凑型、高效型电源解决方案。
4. 光伏逆变器:用于提高太阳能发电系统的转换效率。
5. LED驱动器:实现更高效率的LED照明驱动方案。
CBW201209U201T, CBW201209U203T