类型：肖特基二极管
　　配置：单只二极管
　　封装/外壳：SMC（DO-214AB）
　　反向重复峰值电压 VRRM：150V
　　直流阻断电压 VR：150V
　　平均整流电流 IO：20A
　　正向压降 VF（最大值）：1.0V @ 20A, TJ=125°C
　　非重复峰值浪涌电流 IFSM：60A
　　反向漏电流 IR：0.5mA @ 150V, TJ=25°C
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +175°C
　　热阻 RθJA：约3.0°C/W（依PCB布局而定）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：2

CBW201209U151的核心特性之一是其低正向导通压降，这显著降低了功率损耗并提高了整体系统的转换效率。在20A的工作电流下，其最大正向压降仅为1.0V（在结温125°C时），这一性能优于传统快恢复二极管，尤其在大电流、低电压输出的DC-DC变换器中表现出色。该低VF特性源于其肖特基势垒结构，利用金属-半导体结代替PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，实现了极快的开关速度。由于没有反向恢复电荷（Qrr几乎为零），CBW201209U151在高频开关应用中可大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　另一个关键特性是其高电流承载能力。该器件额定平均整流电流为20A，能够承受高达60A的非重复浪涌电流（IFSM），使其在瞬态负载或启动冲击条件下仍能安全运行。这种高鲁棒性得益于其优化的芯片设计和SMC封装的优良热传导性能。SMC封装具有较大的焊盘面积，有助于将热量有效地传递到PCB上，从而降低热阻并延长器件寿命。此外，器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其可在极端高低温环境中稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和户外电源设备等严苛应用场景。
　　CBW201209U151还具备出色的反向漏电流控制能力。在25°C时，最大反向漏电流仅为0.5mA，在150V反向电压下仍保持较低水平。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电问题，但该器件通过精确的掺杂工艺和表面钝化技术有效抑制了漏电流的增长，提升了高温下的可靠性。同时，其反向击穿电压稳定，具备良好的电压裕量，防止因电压波动导致的意外击穿。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊接工艺，兼容现代绿色制造流程。

CBW201209U151广泛应用于各类需要高效率、高可靠性的电源系统中。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC适配器、服务器电源和电信整流模块中作为输出整流二极管使用。由于其低正向压降和快速响应特性，该器件能显著提升电源的整体效率，尤其是在低压大电流输出场景下（如12V或5V输出），减少了导通损耗，有助于实现更高的能效等级（如80 PLUS认证）。
　　在DC-DC转换器中，CBW201209U151常用于同步整流拓扑或作为续流二极管（freewheeling diode），在Buck、Boost或Flyback电路中提供低损耗的电流路径。其零反向恢复电荷特性使得在高频开关（数十kHz至MHz级别）下不会产生额外的开关损耗，从而提高转换器的工作频率和功率密度。此外，该器件也适用于逆变器系统中的箝位和保护电路，用于吸收感性负载产生的反向电动势，防止主开关器件（如MOSFET或IGBT）因过压而损坏。
　　在工业电源、LED驱动电源、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器中，CBW201209U151因其高耐压、大电流和高可靠性而被广泛采用。其表面贴装封装形式便于自动化生产和回流焊工艺，适用于高密度PCB布局，节省空间的同时保证良好的散热性能。此外，该器件也可用于电池充电管理系统、电动工具电源模块和汽车辅助电源系统中，满足对小型化和高效能日益增长的需求。

SB20150, SB20150-E3/54, MBR20150CT, STPS20L150CT