类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A（半正弦波，60Hz）
　　最大正向电压降（VF）：1.7V @ 10A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 1200V, 25°C；1mA @ 1200V, 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220-2L
　　热阻（RθJC）：3.0°C/W 典型值

CBW201209U102的核心优势在于其基于6英寸4H-SiC外延材料制造的碳化硅肖特基势垒结构，这一结构从根本上消除了传统硅基PN结二极管所固有的反向恢复电荷问题，从而大幅降低了高频开关过程中的能量损耗。在实际应用中，尤其是在硬开关拓扑如LLC谐振变换器或图腾柱PFC电路中，这种零反向恢复特性可以显著减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统效率并简化滤波设计。此外，由于碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度和优异的热导率，该器件可在高达175°C的结温下持续工作，远高于传统硅器件的150°C上限，使其非常适合部署在高温环境中，例如靠近变压器或功率MOSFET的位置。
　　该器件还表现出极低的动态导通电阻和稳定的温度系数，即使在负载剧烈变化的情况下也能保持一致的电气性能。其正向压降VF随温度升高略有增加，但增长幅度较小，确保了在宽温范围内仍能维持较高的能效水平。同时，较低的反向漏电流在常温下可控制在微安级，虽在高温下有所上升，但仍处于行业领先水平，不会对系统待机功耗造成显著影响。TO-220-2L封装经过优化设计，具备良好的机械强度和电气绝缘性能，支持通孔安装，并可通过散热片实现高效热传导，进一步提升功率密度。CBW201209U102通过了严格的AEC-Q101可靠性测试认证，适用于车规级应用，具备高抗湿性、耐焊接热冲击能力以及长期老化稳定性，是现代高效电源系统中理想的高速整流解决方案。

CBW201209U102广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在新能源领域，它是光伏（PV）逆变器直流侧升压电路中的关键元件，能够承受高压直流链路电压并在高频率下实现高效整流，提升整个逆变系统的转换效率。在电动汽车基础设施方面，该器件被用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）级，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中发挥着不可替代的作用，因其无反向恢复特性可避免体二极管导通带来的损耗问题。
　　在工业电源领域，CBW201209U102常见于通信电源、服务器电源和UPS不间断电源中，用于次级侧整流或辅助电源整流，帮助系统达到80 PLUS钛金等级的能效要求。此外，在感应加热、激光电源和高电压直流电源等特种电源设备中，该器件凭借其高耐压能力和出色的热稳定性，能够在极端工况下可靠运行。由于其具备良好的EMI表现和快速响应能力，也适用于高频DC-DC变换器和开关模式电源（SMPS）中的续流与箝位功能，有助于减小磁性元件体积并提升系统整体功率密度。

Cree / Wolfspeed C3D10060A
　　ROHM Semiconductor SCSD100AG
　　ON Semiconductor FFSH10120A
　　Infineon Technologies IDW10G120C-1