SBG1040CT 时间：2025/12/26 9:19:40 阅读：19

SBG1040CT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用共阴极双二极管配置，封装形式为TO-220AC（也称作TO-220）。该器件专为高效率电源转换应用而设计，适用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要低正向压降和快速恢复特性的电路中。SBG1040CT结合了硅肖特基技术的优势，具有较低的导通损耗和较高的开关速度，能够在高温环境下稳定工作，适合工业级和消费类电子产品的功率整流需求。
　　该器件的最大重复反向电压（VRRM）为100V，平均整流电流（IF(AV)）可达40A，具备良好的热性能和可靠性。其TO-220封装便于安装在散热器上，有效降低结温，提升长期运行稳定性。SBG1040CT符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，广泛应用于计算机电源、电信设备、LED照明驱动及新能源系统等领域。

参数

型号：SBG1040CT
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：肖特基势垒二极管（共阴极双二极管）
　　最大重复反向电压 VRRM：100V
　　平均整流电流 IF(AV)：40A（单路）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：150A
　　正向压降 VF：典型值0.85V（在IF = 20A, Tj = 125°C时）
　　反向漏电流 IR：最大5.0mA（在VR = 100V, Tj = 125°C时）
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围 Tstg：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AC
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS：是

特性

SBG1040CT的核心优势在于其采用先进的平面肖特基技术，实现了极低的正向导通压降与优异的开关性能之间的平衡。由于肖特基二极管的载流子输运机制主要依赖多数载流子，因此不存在少子存储效应，从而显著缩短了反向恢复时间（trr），几乎可以忽略不计。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，能够大幅降低开关过程中的能量损耗，提高整体电源转换效率。此外，在硬开关拓扑如反激式、正激式或LLC谐振变换器中，快速的动态响应有助于减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。
　　该器件具有高达40A的连续整流电流能力，支持大功率输出场景下的持续负载运行。同时，其最大反向耐压为100V，适用于12V、24V 或 48V 输出的中低压直流电源系统。在满载条件下，即使结温升至125°C，其正向压降仍保持在0.85V左右，表明其具备良好的热稳定性。这种低VF特性不仅减少了导通期间的I2R损耗，还降低了对散热系统的要求，有助于缩小电源模块体积并提升功率密度。
　　SBG1040CT的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，展现出卓越的环境适应能力，可在极端高低温条件下可靠运行。其TO-220封装结构具备优良的热传导性能，可通过外接散热片将热量高效传递至外部环境，防止局部过热导致器件老化或失效。此外，该封装机械强度高，易于自动化装配，适用于波峰焊和回流焊工艺，满足现代电子产品的大规模生产需求。整体设计兼顾电气性能、热管理与制造便利性，是中高功率肖特基整流方案的理想选择之一。

应用

SBG1040CT广泛用于各类高效率电源转换系统中，尤其是在对能效和热管理要求较高的应用场景下表现突出。常见应用包括服务器电源、通信电源、工业电源模块以及光伏逆变器等设备中的次级侧整流电路。在这些系统中，它通常被用作同步整流的替代方案或辅助整流元件，以实现更高的转换效率。由于其低正向压降特性，特别适合用于低压大电流输出的DC-DC转换器中，例如为CPU、GPU或其他高性能处理器供电的VRM（电压调节模块）中作为续流二极管使用。
　　在太阳能发电系统中，SBG1040CT可用于防反二极管（Blocking Diode），防止电池板在夜间或阴影条件下发生反向放电，保护光伏阵列安全。同时，它也可应用于不间断电源（UPS）、电动工具充电器、LED恒流驱动电源等领域，承担主整流或箝位功能。其快速响应能力和高温稳定性使其在频繁启停或负载波动较大的工况下依然保持稳定性能。
　　此外，SBG1040CT还可用于电机驱动电路中的续流路径构建，吸收感性负载断开时产生的反电动势，避免高压击穿控制芯片。在汽车电子辅助电源系统（如车载逆变器或DC-DC转换器）中也有潜在应用价值，尽管其未通过车规级AEC-Q101认证，但仍可适用于部分非严苛环境下的车载设备。总之，该器件凭借其高电流承载能力、低损耗和高可靠性，已成为多种电力电子拓扑中不可或缺的关键组件。