CBW160808U121T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,主要用于高频率、高效率的电源管理应用。该芯片集成了先进的驱动和保护电路,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计环境。
CBW160808U121T 通过优化的内部结构设计,在降低开关损耗的同时提升了整体系统效率,特别适用于适配器、充电器以及工业电源等应用领域。
型号:CBW160808U121T
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650 V
额定电流:12 A
导通电阻:121 mΩ
封装形式:QFN-8L (3x3mm)
最大工作温度范围:-40°C 至 +150°C
输入频率范围:10 kHz 至 1 MHz
静态功耗:≤ 150 μA
输出电容:≤ 80 pF
CBW160808U121T 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻(Rds(on)),在高电流负载下减少功率损耗。
2. 高击穿电压支持高达 650V 的应用环境,确保稳定运行。
3. 支持高达 1 MHz 的开关频率,能够显著减小外部无源元件的尺寸与成本。
4. 内置多重保护功能,例如过温保护(OTP)、过流保护(OCP)和短路保护(SCP)。
5. 封装紧凑,有助于简化 PCB 布局并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 出色的热性能,保证长时间稳定工作。
CBW160808U121T 广泛应用于以下领域:
1. USB-PD 快速充电器
2. 开关电源(SMPS)
3. LED 驱动器
4. 无线充电模块
5. 工业自动化设备中的小型化电源解决方案
6. 笔记本电脑及平板电脑适配器
7. 高频 DC-DC 转换器
CBW160808U101T, CBW160808U151T