时间:2025/12/27 21:27:38
阅读:17
CBTD16211DL是一款由Comchip Technology生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击感应等。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应时间和低箝位电压特性,能够在极短时间内将过电压引导至安全水平,从而有效防止下游电路受到损坏。CBTD16211DL属于双向TVS二极管,适用于交流或双极性信号线路的保护场景,如通信接口、数据线和电源输入端口等。其封装形式为SOD-123FL,具有较小的占板面积,适合高密度PCB布局设计。此外,该器件符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,适用于消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统等多种应用场景。由于其优异的电气性能和可靠性,CBTD16211DL在现代电子系统中被广泛用于提升整体电磁兼容性(EMC)和系统鲁棒性。
类型:双向TVS二极管
封装:SOD-123FL
反向截止电压(VRWM):16V
击穿电压(VBR):最小17.8V,最大19.7V
测试电流(IT):1mA
最大钳位电压(VC):26.0V(在IPP = 1.3A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):13.5A(基于8/20μs波形)
峰值脉冲功率(PPPM):300W(短时间脉冲)
漏电流(IR):小于10μA(在VRWM = 16V时)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
储存温度范围:-55°C 至 +150°C
CBTD16211DL具备出色的瞬态抑制能力,能够承受高达300W的峰值脉冲功率(基于8/20μs电流波形),在遭遇瞬态过压事件时迅速导通并将电压钳制在安全范围内,从而有效保护后级电路不受损害。其双向结构设计使其能够应对正负两个方向的瞬态冲击,特别适用于可能承受反向电压或交流信号路径中的保护需求,例如USB接口、RS-485通信线路或音频信号传输通道等。该器件具有极低的动态电阻,在导通状态下能维持较低的钳位电压,减少对系统供电轨的扰动,提高整体稳定性。
另一个关键优势是其快速响应时间,通常小于1皮秒,这意味着它能在纳秒级时间内对ESD或EFT等高速瞬变做出反应,远快于传统过压保护元件如压敏电阻或多层陶瓷器件。这种超快响应特性对于现代高速数字电路尤为重要,因为这些电路往往对电压波动极为敏感。同时,SOD-123FL小型化封装不仅节省PCB空间,还具备良好的热传导性能,有助于热量的有效散发,延长器件寿命。
CBTD16211DL的漏电流极低(<10μA),在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗,不会影响系统的待机效率或电池续航能力,因此非常适合便携式设备使用。此外,该TVS二极管经过严格的老化测试和可靠性验证,具备优异的长期稳定性与耐久性,能够在恶劣环境条件下持续提供保护功能。其符合AEC-Q101车规级标准的可能性也使其可应用于部分车载电子模块中,如传感器接口或车载信息娱乐系统的数据端口防护。
CBTD16211DL常用于各类需要高等级瞬态电压保护的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的USB端口ESD防护,尤其是Type-A和Micro-USB接口的数据线(D+ / D-)保护;在工业自动化领域,可用于PLC模块、现场总线通信接口(如CAN、RS-232、RS-485)的浪涌抑制;在通信设备中,可用于以太网PHY侧的信号线保护或电话线路的雷击防护。此外,该器件也适用于电源管理单元的次级侧保护,防止因负载突变或反接引起的电压反弹现象。
由于其小型封装和高可靠性,CBTD16211DL广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机等移动设备内部的高频信号线路保护。在汽车电子方面,可用于车身控制模块、车载导航系统或倒车雷达系统的I/O接口防浪涌设计。另外,在医疗设备、智能家居控制器和物联网终端设备中,该TVS二极管也被用作关键信号路径的第一道防线,确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。其双向特性和宽温度范围适应性进一步扩展了其适用场景,尤其适合部署在户外或温差较大的环境中使用的电子装置。
P6KE16CA