时间：2025/9/14 12:47:09
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CBTD16210DL,112 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。该器件专为高效率、低功耗的功率管理应用设计，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。CBTD16210DL,112 具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。
类型：功率 MOSFET
通道类型：双 N 沟道
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：6.2A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：21mΩ @ VGS = 10V
功率耗散：2.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSSOP
CBTD16210DL,112 的主要特性之一是其双 N 沟道 MOSFET 设计，能够在单个封装中提供两个独立的功率开关，从而节省 PCB 空间并简化电路设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。此外，CBTD16210DL,112 具有良好的热稳定性，能够在高电流条件下保持稳定运行，适用于紧凑型高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 10V 驱动），兼容多种控制电路。TSSOP 封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化装配流程。
另一个关键特性是其高可靠性，在高温和高电流条件下仍能保持长期稳定运行。CBTD16210DL,112 还具备较强的短路耐受能力，有助于提高系统的稳定性和安全性。此外，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品设计。
CBTD16210DL,112 主要用于需要高效功率管理的电子设备中，如便携式电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源中，该器件能够有效提升能效并延长电池续航时间。此外，CBTD16210DL,112 也适用于工业自动化控制系统、电源分配系统以及 LED 照明驱动电路。由于其双 MOSFET 结构和高集成度，该器件在需要多路功率控制的应用中也表现出色。
Si2302DS, IRF7309, AO4406A, NVTFS5C471NL, FDS6675
