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SI3459DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/21 18:36:28 查看 阅读:4

SI3459DV-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的高效能、低功耗的 RS-485 收发器芯片,广泛应用于工业通信领域。该芯片支持全双工和半双工通信模式,具备强大的抗噪能力和驱动能力,能够在恶劣的电磁环境下稳定运行。
  RS-485 标准接口设计使其非常适合长距离通信,最高数据速率可达 20 Mbps。此外,该芯片内置了多种保护功能,如故障保护、热关断等,以确保在复杂环境中的可靠性。

参数

供电电压:3.3V 至 5.5V
  最大数据速率:20 Mbps
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  接收器输入阻抗:≥12 kΩ
  驱动器输出电流:±20 mA
  静态供电电流:典型值 160 μA
  ESD 防护等级:±15 kV (HBM)
  封装形式:MSOP-10

特性

SI3459DV-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 支持 RS-485/RS-422 标准协议,适用于多点通信网络。
  2. 内置短路和过温保护机制,能够有效避免因负载异常导致的损坏。
  3. 提供灵活的偏置电阻选项,简化外部元件设计。
  4. 超低功耗待机模式,适合电池供电设备。
  5. 强大的噪声抑制能力,可在嘈杂的工业环境中保持信号完整性。
  6. 宽泛的工作电压范围和温度范围,适应各种极端条件下的应用需求。

应用

SI3459DV-T1-E3 常用于以下领域:
  1. 工业自动化控制系统的通信模块。
  2. 楼宇自动化设备中的数据传输组件。
  3. 远程监控系统,例如安防摄像头或传感器节点的数据链路。
  4. 电力计量设备及能源管理解决方案。
  5. 医疗设备中对可靠性和实时性要求较高的通信部分。
  6. 交通运输行业中的车载诊断系统和列车控制系统。

替代型号

SI3459DV-T1-G3
  MAX485
  SN75179

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SI3459DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3459DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3459DV-T1-E3TR