CBT3126PW 时间：2025/4/29 13:38:37 阅读：3

CBT3126PW是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业和消费类电子设备中。
　　这款功率MOSFET以极低的导通电阻（Rds(on)）为特点，同时支持高频率开关操作，并且具有较低的栅极电荷和输出电容，从而有助于提高系统效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大漏电流：36A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　连续漏极电流：36A
　　功耗：72W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

CBT3126PW具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为1.8mΩ，可显著减少导通损耗。
　　2. 高电流承载能力，支持高达36A的连续漏极电流。
　　3. 低栅极电荷设计，有助于实现高效的高频开关操作。
　　4. 耐热性能优越，工作温度范围从-55℃到175℃，适应严苛的工作环境。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
　　6. 提供强大的ESD保护功能，增强器件的鲁棒性。

应用

CBT3126PW适用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换。
　　4. 汽车电子系统中的电池管理和DC-DC转换。
　　5. 各种便携式设备中的高效功率管理解决方案。
　　6. 通信电源和其他需要高性能功率开关的应用场景。