时间：2025/5/23 22:09:58
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CBR08C820JAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有出色的开关特性和低导通电阻，适合用于电源转换、无线充电、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。
其核心优势在于高效率和小尺寸，能够显著提升系统性能并降低热损耗。
型号：CBR08C820JAGAC
类型：增强型 GaN HEMT
Vds（漏源电压）：200V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ
Id（连续漏极电流）：16A
Qg（总栅极电荷）：45nC
Ciss（输入电容）：1190pF
Coss（输出电容）：135pF
Eoss（输出电荷能量）：27nC
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.5V~3V
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：LFPAK88
CBR08C820JAGAC 的主要特性包括：
1. 采用氮化镓材料，具备更快的开关速度和更低的导通电阻，从而提高能效并减少热管理需求。
2. 具有良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
3. 封装形式紧凑，适合高密度设计，同时提供优异的散热性能。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
5. 高击穿电压和低寄生电感，使其非常适合高频和高功率应用场景。
6. 支持高效的同步整流和硬开关操作，进一步优化系统设计。
CBR08C820JAGAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱无桥 PFC 电路，以实现更高的功率密度。
3. 电动汽车 (EV) 充电器及车载充电系统。
4. 工业级电机驱动和伺服控制器。
5. 高频逆变器和无线电力传输设备。
6. 数据中心和电信基础设施中的高效电源模块。
CBR08C650JAGAC, CBR08C800JAGAC
