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CBR08C399A1GAC 发布时间 时间:2025/7/14 8:35:12 查看 阅读:24

CBR08C399A1GAC是一款高性能的肖特基二极管,广泛应用于高频、低功耗和快速开关场景中。该器件采用了先进的半导体工艺技术,具备低正向压降、高效率以及出色的反向恢复特性。
  此型号属于肖特基势垒二极管系列,其设计优化了在高频电源转换、太阳能逆变器、电机驱动等应用中的表现。

参数

最大正向电流:8A
  峰值反向电压:40V
  正向压降:0.35V(典型值@8A)
  反向漏电流:100uA(最大值@25°C)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220FP

特性

CBR08C399A1GAC具有以下显著特性:
  1. 超低正向压降,减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频电路设计。
  3. 出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能。
  4. 小型化封装,便于安装与散热管理。
  5. 可靠性高,适用于各种工业及消费类电子产品。

应用

该型号主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)整流与保护。
  2. 太阳能逆变器中的隔离和续流功能。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 通信设备中的高频信号处理。

替代型号

CBR08C400A1GAC, STTH1R0080, MBR840T3G

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CBR08C399A1GAC参数

  • 数据列表CBR08C399A1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容3.9pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-