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CBR08C309BAGAC 发布时间 时间:2025/6/11 14:55:22 查看 阅读:6

CBR08C309BAGAC是一款由知名半导体厂商生产的肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array)。该器件采用小型化的DFN封装,具有低正向压降、快速开关速度以及高浪涌电流能力等特点。它非常适合用于高频整流、反向电池保护、负载切换和OR-ing电路等应用场合。
  肖特基二极管因其独特的物理特性,在效率和性能方面表现出色,尤其是在低电压应用中。CBR08C309BAGAC通过优化的芯片设计与先进的封装技术,能够为各种电子设备提供稳定可靠的保护和控制功能。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  封装:DFN-8 (WL-CSP)
  正向电压(VF):0.3V @ 1A
  反向恢复时间(trr):25ns
  最大工作温度范围:-55℃ to +150℃
  峰值浪涌电流:8A
  持续直流电流:3A
  反向漏电流:10μA @ 25℃

特性

1. 超低正向压降,有助于提高系统效率并降低功耗。
  2. 极快的反向恢复时间,适合高频应用环境。
  3. 高可靠性设计,能够在极端温度条件下正常工作。
  4. 小型化封装,节省PCB空间,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
  5. 提供优异的浪涌电流承受能力,增强器件的耐用性和安全性。

应用

1. 反向电池保护电路
  2.3. 便携式设备中的高效整流
  4. 多路电源系统的负载均衡
  5. 汽车电子中的瞬态电压抑制
  6. 工业自动化中的信号隔离与保护

替代型号

MBR0830GTA,
  SS34,
  1SS382

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CBR08C309BAGAC参数

  • 数据列表CBR08C309BAGAC
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容3.0pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.033"(0.85mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称399-8704-6