CBR08C309BAGAC是一款由知名半导体厂商生产的肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array)。该器件采用小型化的DFN封装,具有低正向压降、快速开关速度以及高浪涌电流能力等特点。它非常适合用于高频整流、反向电池保护、负载切换和OR-ing电路等应用场合。
肖特基二极管因其独特的物理特性,在效率和性能方面表现出色,尤其是在低电压应用中。CBR08C309BAGAC通过优化的芯片设计与先进的封装技术,能够为各种电子设备提供稳定可靠的保护和控制功能。
类型:肖特基二极管阵列
封装:DFN-8 (WL-CSP)
正向电压(VF):0.3V @ 1A
反向恢复时间(trr):25ns
最大工作温度范围:-55℃ to +150℃
峰值浪涌电流:8A
持续直流电流:3A
反向漏电流:10μA @ 25℃
1. 超低正向压降,有助于提高系统效率并降低功耗。
2. 极快的反向恢复时间,适合高频应用环境。
3. 高可靠性设计,能够在极端温度条件下正常工作。
4. 小型化封装,节省PCB空间,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
5. 提供优异的浪涌电流承受能力,增强器件的耐用性和安全性。
1. 反向电池保护电路
2.3. 便携式设备中的高效整流
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MBR0830GTA,
SS34,
1SS382