类型：肖特基二极管
　　封装/包装：SOD-323
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值0.32V（在10mA时），最大0.48V（在200mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在25℃下，25V时）
　　反向恢复时间（trr）：最大10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约450°C/W（取决于PCB布局）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：约1A（单个半正弦波，8.3ms）

RB521SM-30的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与N型半导体之间的势垒形成整流效应，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，从而显著提升了器件的开关速度并降低了正向导通压降。由于没有少子存储现象，该二极管在高频开关应用中表现出极短的反向恢复时间（trr ≤ 10ns），有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及高速逻辑电平箝位场合。同时，其低VF特性意味着在相同电流下功耗更小，有助于提升系统整体能效，延长电池供电设备的工作时间。例如，在一个典型的3.3V或5V电源轨中用作防倒灌二极管时，RB521SM-30相比普通硅二极管可减少近一半的热耗散，降低温升风险。
　　该器件的SOD-323封装尺寸仅为1.7mm × 1.25mm × 1.0mm，属于超小型表面贴装器件（SMD），非常适合高密度印刷电路板布局，尤其适用于空间受限的移动终端产品。尽管体积微小，但其内部芯片设计优化了电流分布均匀性与热传导路径，确保在持续200mA负载下仍具备可靠的热性能。此外，RB521SM-30具备良好的反向耐压稳定性，在接近额定电压（30V）运行时漏电流控制在极低水平（≤5μA @25V），保证了待机模式下的低静态功耗，这对节能型物联网节点或待机电源模块尤为重要。
　　从制造工艺来看，RB521SM-30采用成熟的批量生产流程，确保批次间参数一致性高，良率优异。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环（TC）、恒定湿热（HAST）等项目，满足工业级应用的长期稳定性需求。其无铅焊接兼容性也便于现代回流焊工艺集成，支持自动化贴片生产线高效作业。值得一提的是，该型号还具备一定的瞬态过载承受能力，能够耐受短时浪涌电流冲击（IFSM ≈1A），增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，RB521SM-30是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的先进肖特基二极管，代表了当前低压整流领域主流的技术方向。

RB521SM-30因其低正向压降、快速响应和小型封装，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑内的电池充电路径控制，用于防止电池反向放电或外部电源与电池之间的冲突；在USB接口电路中，它常被配置为VBUS线上的隔离二极管，以实现多电源源选择或多设备供电协调。此外，在DC-DC开关电源拓扑中，RB521SM-30可用于续流（flyback）或箝位电路，配合主开关管完成能量转移过程，尤其是在非同步降压变换器中作为续流二极管，其低VF特性有助于提高轻载效率。该器件也适用于信号整流和高频检波场景，如射频识别（RFID）标签读写器前端、无线传感器网络的能量采集模块等，其中快速响应能力可保障信号完整性。在LED照明驱动方案中，它可以作为保护元件防止反向电压损坏敏感的LED串。另外，由于其出色的温度稳定性和低漏电流表现，RB521SM-30也被用于工业测量仪器、医疗电子设备和汽车电子中的低功耗传感接口电路，承担电平移位、噪声抑制或反极性保护等功能。总体而言，凡是需要高效、紧凑且可靠的低压整流解决方案的场合，RB521SM-30都是一个理想的选择。

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　　 "RB521S-30",
　　 "BAT54C",
　　 "BAS40-04W",
　　 "PMDS30,215",
　　 "DMK30-7-F"
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