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CBR06C909B1GAC 发布时间 时间:2025/12/24 15:18:53 查看 阅读:56

CBR06C909B1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 功率肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅技术制造,具有高效率、高开关速度和低正向压降的特点。它适用于高频开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器和其他需要高效功率转换的应用场景。
  该型号中的具体含义如下:CBR表示二极管系列,06表示额定电流为6A,C909代表额定电压为900V,B1GA表示封装类型为TO-247-3,最后的C表示特定版本或优化特性。

参数

类型:肖特基二极管
  材料:碳化硅 (SiC)
  最大正向电流:6 A
  峰值反向电压:900 V
  正向电压(典型值):1.45 V @ 6 A
  反向漏电流:10 μA @ 25°C, 150 μA @ 175°C
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-247-3

特性

CBR06C909B1GAC 的主要特性包括:
  1. 极低的正向压降,减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高温性能优异,能够在高达175°C的结温下稳定运行。
  3. 快速恢复时间(近似零恢复时间),适合高频应用。
  4. 碳化硅材料提供了更高的热导率和耐压能力,使其在恶劣环境下表现出色。
  5. 反向恢复电荷极小,几乎无反向恢复损耗。
  6. 能够承受较高的浪涌电流,增强了器件的可靠性。
  这些特性使得 CBR06C909B1GAC 成为现代功率电子应用的理想选择。

应用

CBR06C909B1GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 高频开关电源 (SMPS)。
  2. 太阳能光伏逆变器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. DC-DC 转换器。
  5. 工业电源模块。
  6. 电动汽车充电设备。
  7. 不间断电源 (UPS) 系统。
  由于其高效率和高温稳定性,这款二极管非常适合要求高可靠性和高性能的工业及汽车级应用。

替代型号

CBR06C909B1GAC 的替代型号可能包括其他厂商生产的等效碳化硅肖特基二极管,例如:
  1. STMicroelectronics - SCT2080K
  2. Rohm - SCS206AM3
  3. Infineon - SKTH20H120D
  请注意,替代型号的选择需根据具体的电气参数、封装形式以及实际应用环境进行评估,以确保完全兼容。

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CBR06C909B1GAC参数

  • 数据列表CBR06C909B1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容9.0pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-