时间：2025/11/8 0:03:38
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BR93G46NUX-3ATTR是一款由ROHM Semiconductor生产的串行EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高可靠性和长数据保存时间的特点，适用于需要非易失性存储解决方案的各种电子设备。BR93G46NUX-3ATTR的存储容量为4K位（即512字节），组织方式为64页×8位，支持通过简单的两线制串行接口（I2C总线兼容）进行数据读写操作。该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及各类需要参数存储或配置信息保存的嵌入式系统中。
这款器件的工作电压范围宽，典型值在1.7V至5.5V之间，使其能够适应多种电源环境，尤其适合电池供电的低功耗应用场景。其内置了写保护功能，可通过硬件引脚（WP）实现对整个存储阵列的写入锁定，防止因意外操作导致的数据损坏。此外，该芯片还具备自定时写周期和页面写入模式，允许每次最多写入16字节的数据，提升了写入效率。器件采用超小型SOP-8封装形式，便于在空间受限的PCB设计中使用，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
型号：BR93G46NUX-3ATTR
制造商：ROHM Semiconductor
产品类型：串行EEPROM
存储容量：4Kbit (512 x 8)
接口类型：I2C, 2-Wire
工作电压：1.7V ~ 5.5V
时钟频率：最大400kHz（标准模式）
写保护功能：有（通过WP引脚）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：SOP-8
存储寿命：100年（典型值）
擦写次数：10^6 次
页面大小：16 字节
地址宽度：7位
最大写入时间：5ms（典型值）
BR93G46NUX-3ATTR采用CMOS工艺制造，确保了极低的功耗表现，静态电流典型值仅为几微安，非常适合用于便携式设备和电池供电系统。其内部结构将4K位存储空间划分为32个页面，每个页面包含16字节，支持按页写入和随机读取操作。所有写入操作都由片上定时器自动管理，无需外部控制器干预，简化了系统软件设计。芯片完全兼容I2C总线协议，支持多主/从架构，允许多个I2C设备共享同一总线资源。其地址输入通过A0、A1、A2三个引脚设置，最多可同时连接8个相同型号的EEPROM器件，增强了系统的扩展能力。
该器件具备出色的耐久性和数据保持能力，标称可承受高达100万次的擦写循环，数据可在断电状态下保存长达100年，满足工业级应用对长期稳定性的严苛要求。写保护机制不仅可以通过软件命令启用，还可以通过物理连接WP引脚至高电平实现硬件级保护，有效避免非法或误操作带来的数据丢失风险。此外，器件集成了上电复位（Power-on Reset, POR）电路，确保在电源上升过程中处于安全状态，防止异常写入行为。所有引脚均具备静电放电（ESD）防护能力，提高了在实际生产与使用中的可靠性。整个设计符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于绿色电子产品制造。
BR93G46NUX-3ATTR在出厂前经过严格测试，保证在全工作温度范围内（-40°C至+85°C）性能稳定，能够在恶劣环境下可靠运行。其快速响应时间和稳定的通信特性使其成为需要频繁读写配置参数的应用的理想选择，例如网络设备中的MAC地址存储、医疗仪器中的校准数据记录、智能仪表中的用户设置保存等场景。由于其小封装尺寸和高集成度，有助于减少整体PCB面积，降低系统成本，提升产品竞争力。
常用于各种需要非易失性存储的小型电子设备中，如家用电器控制板、传感器模块、工业自动化装置、通信接口转换器、智能卡终端、医疗监测设备、POS机、条码扫描器及各类嵌入式控制系统。可用于存储设备序列号、校准参数、用户配置、运行日志等关键信息。
M93C46-WMN6P, CAT24C04VI-GT3, AT24C04D-SSHM-T
