时间：2025/5/24 9:28:12
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CBR06C708B1GAC 是一款基于碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管，专为高频、高效率的应用场景设计。该器件具有低正向压降和快速恢复特性，能够显著降低开关损耗，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及电动汽车等功率电子设备中。
该型号属于碳化硅肖特基二极管系列，其主要特点是能够在高频工作条件下提供更高的效率和更低的热损耗，同时具备出色的抗浪涌能力和可靠性。
额定电压：650V
额定电流：8A
正向压降（典型值）：1.3V
反向恢复时间：≤25ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
CBR06C708B1GAC 的核心优势在于使用了碳化硅材料，这使得它相比传统硅基肖特基二极管具有以下特点：
1. 更高的开关频率支持，能够有效减少磁性元件体积并提升系统效率。
2. 极低的反向恢复电荷，从而降低开关损耗。
3. 在高温环境下依然保持优异的性能稳定性，最高结温可达175℃。
4. 良好的浪涌电流承受能力，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 小型化封装与高效散热设计进一步优化了其应用灵活性。
这款二极管广泛应用于需要高效率和高频工作的电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源中的整流和续流功能。
2. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
3. 光伏逆变器内的功率转换模块。
4. 电动车驱动系统的辅助电路。
5. 工业自动化设备中的高频功率转换部分。
CBR06C808B1GAC, CBR06C608B1GAC
