CBR06C360F5GAC是一款高压MOSFET整流桥堆,广泛应用于开关电源、适配器、充电器等电路中。该器件采用DPAK封装形式,具备高耐压、低正向压降和快速恢复的特性,能够有效提高电路效率并减少热损耗。
此整流桥堆内部集成了四个高压MOSFET二极管,形成全波整流结构,适合处理较高电压和电流的应用场景。其设计特别注重可靠性和耐用性,适用于需要长时间稳定工作的电子设备。
型号:CBR06C360F5GAC
封装:DPAK(TO-252)
最大反向电压:600V
最大正向平均整流电流:6A
峰值正向浪涌电流:180A
正向电压降(典型值):1.2V
工作结温范围:-55℃至+175℃
存储温度范围:-65℃至+175℃
漏电流(IF=0mA,VR=600V时):≤10μA
CBR06C360F5GAC的主要特性包括:
1. 高耐压能力:额定反向电压为600V,可满足多种高压应用需求。
2. 大电流承载能力:支持高达6A的正向平均整流电流,适合大功率电路。
3. 快速恢复性能:内置快速恢复二极管,有效降低开关损耗。
4. 低正向压降:典型值为1.2V,有助于减少功耗并提高整体效率。
5. 紧凑型封装:DPAK封装提供良好的散热性能,同时节省PCB空间。
6. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的工作结温,适应各种恶劣环境。
7. 高可靠性:经过严格的质量控制,确保长期稳定运行。
CBR06C360F5GAC适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 交流-直流适配器
3. 充电器电路
4. LED驱动电源
5. 电机驱动与控制
6. 工业电源模块
7. 逆变器和不间断电源(UPS)系统
8. 各种需要高压整流的电子设备
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