时间：2025/6/12 4:32:31
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CBR06C289B5GAC是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频、高压和大电流的应用场景。该芯片采用了先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术与氮化镓材料相结合的设计，能够显著提高开关速度和降低导通损耗。这款器件主要应用于通信基站、射频放大器、雷达系统以及其他需要高效能量转换的领域。
型号：CBR06C289B5GAC
封装形式：QFN48
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：70nC
最大工作温度：-55℃至+150℃
开关频率：最高可达5MHz
热阻：0.5℃/W
CBR06C289B5GAC的主要特性包括：
1. 氮化镓（GaN）技术提供了极低的导通电阻，从而大幅降低了传导损耗。
2. 高效的能量转换能力使其非常适合用于高频功率变换应用。
3. 内置过流保护和热关断功能，确保了在极端条件下的安全性。
4. 封装紧凑，便于设计人员优化PCB布局。
5. 支持高达5MHz的开关频率，可实现更小体积的滤波器和变压器设计。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的应用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 通信设备中的射频功率放大器。
2. 数据中心和服务器电源模块。
3. 高频DC-DC转换器。
4. 光伏逆变器和储能系统的功率转换。
5. 工业电机驱动控制电路。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
7. 医疗成像设备和其他高性能电子设备的电源解决方案。
CBR06C289B5GA, CBR06C289B5GACR1
