CBR06C209C5GAC是一款贴片式陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该元件具有高稳定性和低ESR特性,适用于高频滤波、去耦和信号耦合等应用场合。
这款电容器属于C0G/NP0介质类型,具有优异的温度稳定性和频率特性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。
型号:CBR06C209C5GAC
电容值:100pF
额定电压:50V
耐压:50V
误差精度:±5%
介质材料:C0G/NP0
封装形式:0603英寸(公制1608)
工作温度范围:-55℃至+125℃
直流偏压特性:无显著变化
频率特性:在1MHz下损耗角正切(tanδ)小于0.1%
CBR06C209C5GAC使用C0G介质,因此具备极佳的温度稳定性,在整个温度范围内电容值的变化率小于±30ppm/℃。此外,它还表现出良好的频率响应特性,非常适合用于射频和微波电路中。由于其体积小巧且为表面贴装器件(SMD),非常便于自动化生产装配。
此电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),可有效减少高频信号中的能量损失。同时,它支持无铅焊接工艺,并符合RoHS标准要求。
CBR06C209C5GAC广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高稳定性和高频性能的场景下。典型的应用包括:
1. 滤波电路:用于电源输入端或信号线路上进行噪声抑制和滤波处理。
2. 去耦作用:为集成电路提供稳定的电源供给,降低电源纹波影响。
3. 射频匹配网络:在无线通信模块中实现阻抗匹配。
4. 时钟振荡回路:作为晶振负载电容以确保精确的频率输出。
5. 数据传输接口保护:用作ESD防护电容以增强系统可靠性。
CC0603CNP01H101J, GRM1555C1H101JA01D