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CBR06C200F5GAC 发布时间 时间:2025/7/3 12:05:45 查看 阅读:12

CBR06C200F5GAC是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过电压瞬态的危害。该器件具有低电容、高响应速度和强大的浪涌承受能力,广泛应用于高速数据线和信号线路的保护。
  CBR06C200F5GAC采用了先进的半导体工艺制造,能够在不影响信号完整性的前提下提供可靠的保护性能。其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的应用场景。

参数

型号:CBR06C200F5GAC
  工作电压:±20V
  最大箝位电压:34.1V
  峰值脉冲电流:27A
  电容:9pF
  响应时间:≤1ps
  结电容:8.8pF
  漏电流:±1nA(最大值,在20V时)
  封装形式:DFN6
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CBR06C200F5GAC具备以下主要特性:
  1. 高浪涌承受能力,能够有效应对多次重复的ESD冲击。
  2. 极低的电容值(9pF),适用于高速数据传输线路。
  3. 超快的响应时间(≤1ps),可以迅速抑制瞬态电压。
  4. 双向保护设计,适合正负双向电压应用。
  5. 符合IEC 61000-4-2(±20kV接触放电,±20kV空气放电)标准要求。
  6. 小型化封装(DFN6),节省PCB空间。
  7. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。
  8. 稳定性高,长期使用后性能变化小。

应用

CBR06C200F5GAC广泛应用于以下领域:
  1. 高速数据接口保护,如USB、HDMI、DisplayPort等。
  2. 通信设备中的信号线路保护。
  3. 汽车电子系统中的CAN/LIN总线保护。
  4. 工业自动化设备的输入/输出端口保护。
  5. 消费类电子产品中敏感电路的保护。
  6. 医疗设备中关键信号链路的防护。
  7. 任何需要对ESD、EFT或其他瞬态过电压进行防护的场合。

替代型号

CBR06C200F5GAA, CBR06C200F5GAD

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CBR06C200F5GAC参数

  • 数据列表CBR06C200F5GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容20pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±1%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-