CBR06C200F5GAC是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过电压瞬态的危害。该器件具有低电容、高响应速度和强大的浪涌承受能力,广泛应用于高速数据线和信号线路的保护。
CBR06C200F5GAC采用了先进的半导体工艺制造,能够在不影响信号完整性的前提下提供可靠的保护性能。其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的应用场景。
型号:CBR06C200F5GAC
工作电压:±20V
最大箝位电压:34.1V
峰值脉冲电流:27A
电容:9pF
响应时间:≤1ps
结电容:8.8pF
漏电流:±1nA(最大值,在20V时)
封装形式:DFN6
工作温度范围:-55℃至+150℃
CBR06C200F5GAC具备以下主要特性:
1. 高浪涌承受能力,能够有效应对多次重复的ESD冲击。
2. 极低的电容值(9pF),适用于高速数据传输线路。
3. 超快的响应时间(≤1ps),可以迅速抑制瞬态电压。
4. 双向保护设计,适合正负双向电压应用。
5. 符合IEC 61000-4-2(±20kV接触放电,±20kV空气放电)标准要求。
6. 小型化封装(DFN6),节省PCB空间。
7. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。
8. 稳定性高,长期使用后性能变化小。
CBR06C200F5GAC广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,如USB、HDMI、DisplayPort等。
2. 通信设备中的信号线路保护。
3. 汽车电子系统中的CAN/LIN总线保护。
4. 工业自动化设备的输入/输出端口保护。
5. 消费类电子产品中敏感电路的保护。
6. 医疗设备中关键信号链路的防护。
7. 任何需要对ESD、EFT或其他瞬态过电压进行防护的场合。
CBR06C200F5GAA, CBR06C200F5GAD