时间：2025/6/16 22:44:38
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CBR06C139B5GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频和高功率密度应用。它采用了增强型 GaN 晶体管技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻。这种器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备以及工业电子领域。
该型号属于 Cree（现为 Wolfspeed）公司旗下的碳化硅基氮化镓器件系列，具有出色的热性能和耐用性，适合在高温环境下运行。其封装设计优化了电气和散热性能，便于集成到紧凑型系统中。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBR06C139B5GAC 的主要特点是结合了氮化镓材料的高性能优势与先进的封装工艺。首先，它具备极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，这使得开关损耗显著降低，从而提升了整体系统的效率。其次，该器件支持高达 175°C 的结温操作，适应严苛的工作条件。此外，它的快速开关能力可以减少电磁干扰并提高频率响应。
由于采用了碳化硅衬底，CBR06C139B5GAC 在热管理和可靠性方面表现出色。相比传统的硅基 MOSFET，这款 GaN 器件拥有更小的尺寸和更高的功率密度，同时保持了良好的稳定性和一致性。
CBR06C139B5GAC 非常适合用于各种高效率、高频工作的应用场景。例如，在通信基础设施中可用于基站电源模块；在消费类电子产品中可用于快充适配器及无线充电板；在工业自动化领域中可用于电机驱动器和不间断电源 (UPS) 系统。此外，该器件还被广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车充电桩以及其他需要高性能功率转换的场合。
凭借其低开关损耗和高工作温度能力，CBR06C139B5GAC 成为了现代电力电子设计的理想选择，能够帮助工程师实现更加紧凑、高效和可靠的解决方案。
CBR06C120B5GAC
CBR06C139B4GAC
