TEVB20R0V12B1X是一款由安森美(onsemi)生产的高压功率MOSFET,属于Trench场效应晶体管系列。该器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于工业、汽车及消费电子领域中的高频DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等场景。
其采用DPAK(TO-252)封装形式,具备出色的散热性能,并能够承受较高的工作电压,非常适合需要高可靠性和高效能的电路设计。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:4.6A
导通电阻(典型值):200mΩ
栅极电荷(Qg):19nC
输入电容(Ciss):1370pF
总电容(Crss):280pF
输出电容(Coss):80pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
TEVB20R0V12B1X具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:支持高达650V的工作电压,适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型条件下仅为200mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能:低栅极电荷和优化的内部结构使其能够在高频条件下保持高效运行。
4. 稳定性与可靠性:通过严格的制造工艺控制,确保在极端环境下的稳定表现。
5. 小型化封装:DPAK封装兼顾了紧凑尺寸和良好的散热性能,简化了PCB布局设计。
6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,满足现代电子产品对绿色制造的要求。
TEVB20R0V12B1X广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器以及离线式电源转换器。
2. DC-DC转换器:用于电池供电设备和嵌入式系统的电压调节。
3. 电机驱动:支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的高效控制。
4. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和逆变器。
5. 汽车电子:适用于电动车窗、座椅调节和水泵等辅助系统。
6. 能量存储系统:在太阳能逆变器和储能设备中实现能量转换与管理。
TEVB20R0V12B1H
TEVB20R0V12B1G
FDMS86254
STP45NF06L