时间：2025/7/14 8:32:15
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CBR06C100F5GAC是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式紧凑，适合高密度电路板布局，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，支持高达100V的工作电压，适用于多种工业和消费类电子产品中的高效能要求场景。
最大漏源电压(VDS)：100V
连续漏极电流(ID)：6A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：27nC
输入电容(Ciss)：1280pF
总功耗(Ptot)：1.3W
工作温度范围(Top)：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-252(DPAK)
CBR06C100F5GAC具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，从而提升整体效率。
2. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷(Qg)，使其非常适合高频应用。
3. 高耐压能力，支持100V的最大漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应各种严苛的工作条件。
5. 紧凑型封装设计，占用较少PCB空间，简化了电路板布局设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
3. 电机驱动控制中的功率输出级。
4. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品的充电管理单元。
CBR06C100F5GAQ, CBR06C100F5GAN
