CBR04C510F5GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高效能功率开关器件,属于氮化镓晶体管系列。该型号设计用于高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于 AC-DC 转换器、电源适配器、无线充电器以及各类高效能功率转换系统。
这款 GaN 器件采用先进的封装技术,能够显著降低系统的体积和重量,同时提升效率和功率密度。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:650V
导通电阻:50mΩ
连续漏极电流:4A
栅极电荷:35nC
开关频率:高达 2MHz
封装形式:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
CBR04C510F5GAC 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,使器件能够在高频下实现高效运行。
3. 高击穿电压能力确保了其在高压应用场景下的可靠性和稳定性。
4. 氮化镓技术的应用使其具备更小的芯片面积和更高的功率密度,非常适合空间受限的设计。
5. 内置保护机制(如过温保护和过流保护)进一步增强了产品的安全性能。
该器件广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 高效 AC-DC 转换器和 USB-PD 快充适配器。
2. 中大功率无线充电设备。
3. 数据中心和服务器的电源管理系统。
4. 工业电机驱动和太阳能逆变器。
5. LED 照明驱动电路。
这些应用都得益于 CBR04C510F5GAC 的高效率、小尺寸和强大的散热性能。
CBR04C650F5GAC
GAN041-650WSA
TXGA100P12L
GXT70R650B